[发明专利]有机薄膜晶体管制备方法和制备装置

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括：

在绝缘基底上制备有机半导体层、源极、漏极、栅极及绝缘层的步骤，该制备有机半导体层的步骤包括：

S1，提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及有机半导体层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该碳纳米管膜结构至少部分悬空设置，该有机半导体层源材料设置在悬空的碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载，该有机半导体层源材料为该有机半导体层的材料或者用于形成该有机半导体层的前驱体，该前驱体在蒸镀的过程中反应生成该有机半导体层；以及

S2，将该蒸发源与绝缘基底相对且间隔设置，并向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号或电信号，使该有机半导体层源材料蒸发，在该绝缘基底上蒸镀形成有机半导体层。

2.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该有机半导体层源材料通过溶液法、沉积法、蒸镀法、电镀法或化学镀法等方法承载在该碳纳米管膜结构表面。

3.如权利要求2所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在该碳纳米管膜结构表面承载该有机半导体层源材料包括以下步骤：

S11，将该有机半导体层源材料溶于或均匀分散于一溶剂中，形成一溶液或分散液；

S12，将该溶液或分散液均匀附着于该碳纳米管膜结构表面；以及

S13，将附着在该碳纳米管膜结构表面的溶液或分散液中的溶剂蒸干，从而将该有机半导体层源材料均匀的附着在该碳纳米管膜结构表面。

4.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该步骤S2进一步包括将该蒸发源及有机半导体层源材料设置在真空室中，在真空中向该碳纳米管膜结构输入所述电磁波信号或电信号的步骤。

5.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，当向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号时，进一步包括提供一电磁波信号输入装置，使该电磁波信号输入装置向该碳纳米管膜结构发出电磁波信号的步骤。

6.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，当向该碳纳米管膜结构输入电信号时，进一步包括提供第一电信号输入电极及第二电信号输入电极，使该第一电信号输入电极及第二电信号输入电极相互间隔并分别与该碳纳米管膜结构电连接的步骤。

7.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该步骤S2进一步包括提供一图案化栅网，将该图案化栅网设置在该蒸发源与该基底具有第一电极的表面之间，从而形成图案化有机半导体层的步骤。

8.如权利要求7所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该图案化栅网包括通孔阵列，该图案化有机半导体层为有机半导体层阵列。

9.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该蒸发源与待镀表面之间的间距为1微米～10毫米。

10.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该步骤S1进一步包括提供两个相互间隔的支撑体，分别设置在该碳纳米管膜结构的两端，使该碳纳米管膜结构在该两个支撑体之间悬空设置的步骤。

11.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该碳纳米管膜结构的单位面积热容小于2×10^-4焦耳每平方厘米开尔文，比表面积大于200平方米每克。