[发明专利]一种中空六元环状羟基氧化钴纳米材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610382883.6 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107445213B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 陈光文;陈会会;杨梅;陶莎;任明月 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 周莹;毛薇 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 中空 环状 羟基 氧化钴 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种羟基氧化钴纳米材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法如下：
（1）配制钴盐和强碱水溶液，所述钴盐水溶液中钴离子Co2+摩尔浓度为0.05-1.0 mol/L，所述强碱水溶液中氢氧根离子OH-摩尔浓度为0.05-5.0 mol/L；
（2）将钴盐水溶液和强碱水溶液以相同流量并流滴入三口烧瓶中，在惰性气氛及搅拌条件下，于30-80 ℃反应0.5-2 h；
（3）撤掉惰性气体，加入一定量的H2O2，继续陈化0.2-0.5h；强氧化剂在溶液中的最终质量分数为2%-10%；
（4）陈化结束后，所得悬浊液经过滤、洗涤、干燥，得到中空六元环状羟基氧化钴纳米材料。
2.根据权利要求1所述羟基氧化钴纳米材料的制备方法，其特征在于：所述钴盐为硫酸钴、氯化钴、硝酸钴、醋酸钴中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述羟基氧化钴纳米材料的制备方法，其特征在于：所述强碱水溶液中的强碱为氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述羟基氧化钴纳米材料的制备方法，其特征在于：所述钴盐水溶液中钴离子Co2+与强碱水溶液中氢氧根离子OH-的摩尔比即n( Co2+ )/n( OH- )范围为1:1-1:20。
5.根据权利要求1所述羟基氧化钴纳米材料的制备方法，其特征在于：钴盐水溶液和强碱水溶液流量相同，流量范围为5-100mL/min。
6.根据权利要求1所述羟基氧化钴纳米材料的制备方法，其特征在于：所述惰性气氛的气体为氮气和氩气的一种或两种。
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