[发明专利]电荷泵基准电压调节电路

权利要求书

1.一种电荷泵基准电压调节电路，其特征在于，包括：

第一运算放大器，所述第一运算放大器的反相输入端连接输入基准电压，所述第一运算放大器的正相输入端连接第一反馈电压；

第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极接电源电压，所述第一PMOS管的栅极连接所述第一运算放大器的输出端；

由n级电阻串联形成的电阻串和由n级开关组成的开关阵列，n为大于1的整数，所述电阻串和所述开关阵列组成第一分压电路；所述电阻串连接在所述第一PMOS管的漏极和地之间；各级电阻的顶端都分别通过一个相同级开关连接到可调基准电压的输出端；各级电阻的顶端为靠近所述第一PMOS管的漏极的一端、各级电阻的底端为靠近地的一端；第0级电阻的底端接地，第n级电阻的顶端连接所述第一PMOS管的漏极；

所述第一反馈电压从所述电阻串的第k级电阻的顶端引出；k为大于等于1且小于n的整数；

各级所述开关在控制信号的控制下导通或断开，所述电荷泵基准电压调节电路工作时仅有一级所述开关导通、其它各级所述开关断开，通过调节导通对应级数的所述开关导通来调节所述可调基准电压的大小；

第二MOS晶体管开关，所述第二MOS晶体管开关的源漏极连接所述第一PMOS管的漏极和所述第一反馈电压之间；

所述第二MOS晶体管开关的栅极连接使能信号，所述使能信号由第k级到第0级开关所对应的k+1个控制信号组合得到，第k级到第0级开关中有一级开关导通时，所述使能信号使所述第二MOS晶体管开关导通；第k级到第0级开关都断开时，所述使能信号使所述第二MOS晶体管开关断开。

2.如权利要求1所述的电荷泵基准电压调节电路，其特征在于：各级所述开关在控制信号为高电平时导通、在控制信号为低电平时断开。

3.如权利要求2所述的电荷泵基准电压调节电路，其特征在于：所述第二MOS晶体管开关由第二PMOS管组成，所述使能信号为第k级到第0级开关的控制信号做或运算再做非运算后得到的信号。

4.如权利要求2所述的电荷泵基准电压调节电路，其特征在于：所述第二MOS晶体管开关由第一NMOS管组成，所述使能信号为第k级到第0级开关的控制信号做或运算得到的信号。

5.如权利要求1所述的电荷泵基准电压调节电路，其特征在于：所述第一运算放大器为跨导运算放大器。

6.如权利要求1所述的电荷泵基准电压调节电路，其特征在于，还包括：第二运算放大器，电荷泵，第二分压电路；

所述可调基准电压连接到所述第二运算放大器的第一输入端，所述第二运算放大器的输出端连接到所述电荷泵的输入端；

所述第二分压电路连接在所述电荷泵的输出端和地之间，所述第二分压电路对所述电荷泵的输出电压和地分压后形成第二反馈电压并连接到所述第二运算放大器的第二输入端。

7.如权利要求6所述的电荷泵基准电压调节电路，其特征在于：所述第二运算放大器为跨导运算放大器。

8.如权利要求6所述的电荷泵基准电压调节电路，其特征在于：所述第二分压电路由多个栅漏连接的NMOS管串联而成。