[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：

依次在衬底上生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层、P型层；

所述有源层包括第一子层和生长在所述第一子层上的第二子层，所述第一子层和所述第二子层均包括交替层叠的量子阱层和量子垒层；所述第一子层中的量子阱层的生长气氛为N₂和H₂的混合气体，所述第一子层中的量子垒层的生长气氛为纯H₂，所述第二子层中的量子阱层的生长气氛为纯N₂，所述第二子层中的量子垒层的生长气氛为N₂和H₂的混合气体；所述第一子层中的量子阱层的生长压力逐渐变化，所述第二子层中的量子阱层的生长压力低于所述第一子层中的量子阱层的平均压力，所述第二子层中的量子垒层的生长压力逐渐变化，所述第一子层中的量子垒层的生长压力高于所述第二子层中的量子垒层的平均压力；所述第一子层中的量子阱层的生长温度逐渐变化，所述第二子层中的量子阱层的生长温度低于所述第一子层中的量子阱层的平均温度，所述第一子层中的量子垒层的生长温度高于所述第二子层中的量子垒层的生长温度；所述第一子层的量子垒层采用三甲基镓作为镓源，所述第一子层的量子阱层、所述第二子层均采用三乙基镓作为镓源；

所述第一子层和所述第二子层中的量子阱层的生长温度低于所述第一子层和所述第二子层中的量子垒层的生长温度，所述第一子层和所述第二子层中的量子阱层的生长压力低于所述第一子层和所述第二子层中的量子垒层的生长压力，所述第一子层和所述第二子层中的量子阱层的生长速率低于所述第一子层和所述第二子层中的量子垒层的生长速率。

2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述第一子层中量子阱层和量子垒层的层数之和为2层～10层，所述第二子层中量子阱层和量子垒层的层数之和为10层～20层。

3.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第一子层中的量子阱层的生长压力为50torr～150torr。

4.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第一子层中的量子垒层的生长压力为200torr～300torr。

5.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第二子层中的量子阱层的生长压力为100torr～200torr。

6.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第二子层中的量子垒层的生长压力为150torr～300torr。

7.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第一子层中的量子阱层的生长温度为780℃～860℃。

8.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第一子层中的量子垒层的生长温度为820℃～920℃。

9.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第二子层中的量子阱层的生长温度为760℃～810℃。

10.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述第二子层中的量子垒层的生长温度为800℃～900℃。