[发明专利]一种磁性隧道结自对准钽掩模的形成方法

权利要求书

1.一种磁性隧道结自对准钽掩模的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：提供具有磁性隧道结多层膜结构的基底；

步骤S2：在所述基底上依次形成钌膜层、硬碳膜层和抗反射层；

步骤S3：采用与磁性隧道结相反的图案进行图案化定义，得到磁性隧道结相反图案；

步骤S4：对所述磁性隧道结相反图案进行修剪，并对所述抗反射层和所述硬碳膜层进行刻蚀，将所述磁性隧道结相反图案转移到所述硬碳膜层；

步骤S5：沉积一层钽膜层在完成磁性隧道结相反图案的图案化的所述硬碳膜层上；

步骤S6：对所述钽膜层进行回刻，直到所述抗反射层完全被刻蚀掉；

步骤S7：除去所述硬碳膜层以形成刻蚀磁性隧道结的钽掩模。

2.根据权利要求1所述的一种磁性隧道结自对准钽掩模的形成方法，其特征在于，所述磁性隧道结多层膜的厚度为15～40nm。

3.根据权利要求1所述的一种磁性隧道结自对准钽掩模的形成方法，其特征在于，所述钌膜层的厚度为2～10nm。

4.根据权利要求1所述的一种磁性隧道结自对准钽掩模的形成方法，其特征在于，所述抗反射层的厚度为30nm～100nm。

5.根据权利要求1所述的一种磁性隧道结自对准钽掩模的形成方法，其特征在于，以抗反射层和光刻胶来定义所述磁性隧道结相反图案。

6.根据权利要求1所述的一种磁性隧道结自对准钽掩模的形成方法，其特征在于，采用Cl₂/O₂或者HBr/O₂干刻蚀工艺对所述磁性隧道结相反图案进行修剪，在干刻蚀过程中，无需添加偏压。

7.根据权利要求1所述的一种磁性隧道结自对准钽掩模的形成方法，其特征在于，采用CF₄/O₂、CF₄/CH₂F₂或者SF₆/CH₂F₂干刻蚀工艺对所述抗反射层进行刻蚀。

8.根据权利要求1所述的一种磁性隧道结自对准钽掩模的形成方法，其特征在于，采用N₂/H₂、HBr/O₂、CH₄/Ar/O₂/N₂或者SO₂/O₂对所述硬碳膜层进行刻蚀。

9.根据权利要求1所述的一种磁性隧道结自对准钽掩模的形成方法，其特征在于，采用CF₄或SF₆干刻工艺对所述钽膜层进行回刻。

10.根据权利要求1所述的一种磁性隧道结自对准钽掩模的形成方法，其特征在于，采用氧气干刻工艺除去所述硬碳膜层。