[发明专利]电子器件、薄膜晶体管、以及阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种电子器件的制作方法，包括：

在衬底基板上形成金属结构；

在所述金属结构和所述衬底基板上形成无氧绝缘层；以及

在所述无氧绝缘层上形成绝缘保护层，

其中，所述无氧绝缘层使用硅烷形成，所述电子器件的制作方法还包括：

在所述金属结构下方形成半导体；以及

在形成所述无氧绝缘层的过程中，所述硅烷释放出氢将所述半导体与所述无氧绝缘层接触的部分导体化。

2.如权利要求1所述的电子器件的制作方法，还包括：

在所述绝缘保护层上形成导电结构，其中，所述导电结构和所述金属结构具有交叠的部分，所述无氧绝缘层的介电常数材料小于等于6。

3.如权利要求1所述的电子器件的制作方法，还包括：

在所述无氧绝缘层和所述绝缘保护层中形成过孔，用于暴露所述金属结构，其中，利用带氧的刻蚀工艺对所述绝缘保护层进行刻蚀；利用无氧的刻蚀工艺对所述无氧绝缘层进行刻蚀，以形成所述过孔。

4.如权利要求3所述的电子器件的制作方法，其中，在无氧的刻蚀工艺下，所述无氧绝缘层的刻蚀速率较所述绝缘保护层的刻蚀速率更快。

5.如权利要求1所述的电子器件的制作方法，其中，所述金属结构包括栅极、栅线、数据线、源极、漏极、公共电极线、公共电极中的至少一个；所述绝缘保护层包括层间介电层和钝化层中的至少一个。

6.如权利要求5所述的电子器件的制作方法，其中，所述金属结构的材料包括铜，所述电子器件的制作方法还包括：

在所述金属结构下方形成扩散阻挡层。

7.如权利要求1-6任一项所述的电子器件的制作方法，其中，所述无氧绝缘层的材料包括SiNC或SiNF。

8.如权利要求1-6任一项所述的电子器件的制作方法，其中，所述无氧绝缘层的厚度小于绝缘保护层的厚度。

9.一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

在衬底基板上形成有源层，所述有源层具有源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域、漏极区域之间的沟道区；

在所述沟道区上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成栅极；

在所述栅极和所述有源层上形成第一无氧绝缘层；以及

在所述第一无氧绝缘层上形成层间介电层，

其中，所述第一无氧绝缘层使用硅烷形成，所述薄膜晶体管的制作方法还包括：在形成所述第一无氧绝缘层的同时，所述硅烷释放出氢将所述有源层的所述源极区域和所述漏极区域导体化。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管的制作方法，还包括：

在所述层间介电层和所述第一无氧绝缘层中形成分别暴露所述源极区域、所述漏极区域的第一过孔；

在所述层间介电层上形成源极和漏极，所述源极和漏极分别通过所述第一过孔与所述源极区域和所述漏极区域电性相连；

在所述源极、所述漏极上形成第二无氧绝缘层；以及

在所述第二无氧绝缘层上形成钝化层。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，还包括：

在所述第二无氧绝缘层和所述钝化层中形成暴露所述漏极的第二过孔，其中，利用带氧的刻蚀工艺对所述钝化层进行刻蚀；利用无氧的刻蚀工艺对所述第二无氧绝缘保护层进行刻蚀。

12.如权利要求11所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，在无氧的刻蚀工艺下，所述第二无氧绝缘层的刻蚀速率较所述钝化层的刻蚀速率更快。

13.如权利要求12所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，所述栅极、所述源极和所述漏极中至少之一包括铜。

14.如权利要求13所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，所述第一无氧绝缘层或所述第二无氧绝缘层的材料包括SiNC或SiNF。

15.如权利要求11所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，所述第一无氧绝缘层和所述第二无氧绝缘层的材料相同。

16.一种阵列基板的制作方法，包括形成薄膜晶体管，其中，采用如权利要求9-15任一项所述的方法制作所述薄膜晶体管。