[发明专利]石英腔体的清洗装置及清洗方法

说明书

本发明提供了一种石英腔体的清洗装置及清洗方法，所述清洗装置包括：包括一清洗腔，设置于清洗腔底部的进液口、排液口以及密封垫，在石英腔体的清洗过程中，所述密封垫与石英腔体的开口接触并密封所述开口，其中，所述进液口和排液口均位于所述开口在清洗腔底部的投影区域内。采用本发明提供的清洗装置对石英腔体进行清洗时，由于密封垫可密封石英腔体的开口，因此清洗液只通入于石英腔体的内部，从而可避免清洗液泄露出，确保石英腔体的外部不被清洗液所侵蚀。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种石英腔体的清洗装置及清洗方法。

背景技术

石英腔体由于其含有的金属杂质较少，其主要物质是高纯度的二氧化硅，并且能承受较高的温度，最高可达1200度，因此石英腔体被广泛应用于半导体制造技术中。例如，在外延工艺中，是将硅片放置于石英腔体的内部以对其进行外延生长，即，于放置有硅片的石英腔体内通入反应源，所述反应源在一定的条件下发生反应，并于硅片表面上沉积一均匀的薄膜。然而，在此过程中，所述薄膜不仅沉积于硅片表面，同时还会沉积于石英腔体的内壁上。从而，在经过多次的沉积工艺之后，于石英腔体的内壁上会形成一定厚度的薄膜层，若不及时去除该薄膜层，其不但会改变石英腔体内部的几何形状而影响反应气流，并且该薄膜层中的颗粒物质也可能成为石英腔体内部的污染来源，进而使后续于硅片上所形成的薄膜产生缺陷。因此，为保证石英腔体内部的清洁度，以确保半导体工艺的稳定性，需定期对该石英腔体的内壁进行清洗。

目前，一种清洗石英腔体的方式为浸泡式清洗，其所使用的清洗装置如图1所示，所述清洗装置包括：清洗腔11、用于通入清洗液的进液口12和用于排出清洗液的排液口13，进液口12和排液口13均设置于清洗腔11上。当采用以上所述的清洗装置对石英腔体进行清洗时，步骤如下：首先，通过进液口12于清洗腔11内通入清洗液，通入的清洗液的液位高于待清洗的石英腔体的高度；然后，将石英腔体浸入清洗液中，并放置一段时间；最后，通过所述排液口13排出清洗液。

在上述清洗方法中，将整个石英腔体完全浸没于清洗液中，此时，石英腔体内壁上的污染物会被清洗液所消融，以此达到对石英腔体的内壁进行清洗的目的。但是，由于上述清洗方式为整体浸泡的清洗方式，因此，对于并没有沉积有薄膜层的石英腔体的外壁，清洗液同时也会对其造成不必要的侵蚀，从而让石英腔体的使用寿命大大缩短，增加零件的成本。此外，整体浸泡的清洗方式势必也造成清洗液的消耗量过大，导致不必要的浪费，增加物料成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种石英腔体的清洗装置及根据所述石英腔体的清洗装置清洗石英腔体的方法，以解决现有的清洗装置在对石英腔体清洗的过程中，对石英腔体的外部造成侵蚀的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供石英腔体的清洗装置，包括一清洗腔，所述清洗腔用于放置石英腔体以对其进行清洗，其特征在于，所述清洗装置还包括：设置于清洗腔底部的进液口、排液口以及密封垫，在石英腔体的清洗过程中，所述密封垫与石英腔体的开口接触并密封所述开口，其中，所述进液口和排液口均位于所述开口在清洗腔底部的投影区域内。

可选的，所述密封垫为环状结构，所述进液口和排液口均位于所述环状结构所围绕的区域内。

可选的，所述密封垫的材质为氟橡胶。

可选的，所述清洗装置还包括一预压装置，所述预压装置包括预压块和驱动装置，所述驱动装置用于驱动所述预压块运动，所述预压块与石英腔体接触并对所述石英腔体施加一压力。

可选的，于所述预压块与石英腔体接触的一端上设置有一向内凹陷的凹槽，所述凹槽与石英腔体的接触面相互契合。

可选的，于所述预压块上还具有一与所述凹槽连通的气体流通通路，所述气体流通通路用于排出石英腔体内的气体。

可选的，所述清洗装置还包括一搅拌装置，所述搅拌装置设置于所述清洗腔的底部并位于所述石英腔体的开口在清洗腔底部的投影区域内。