[发明专利]一种MEMS器件及制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一晶圆，在所述第一晶圆上堆叠形成有第一层间介电层和接合材料层；

图案化所述接合材料层，以在所述第一晶圆上形成接合环并露出部分所述第一层间介电层；

沉积第二层间介电层，以覆盖所述接合环和露出的所述第一层间介电层；

图案化所述第二层间介电层和所述第一层间介电层，以在所述接合环的两侧形成阻挡侧墙，所述阻挡侧墙与所述接合环之间具有开口间隔，所述阻挡侧墙的顶部表面与所述接合环的顶部表面的高度差为0.25um以上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在沉积第二层间介电层之前还进一步包括蚀刻所述第一层间介电层至所述第一晶圆的步骤。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述第一层间介电层的厚度小于2000埃时，蚀刻所述接合材料层至所述第一层间介电层，所述第一层间介电层剩余的厚度为300-500埃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述接合材料层包括堆叠的Ge层和Al层、或堆叠的Ge层和Cu层；

其中，所述Ge层的厚度为500-1000埃，所述Al层的厚度为8000-10000埃。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述Al层或所述Cu层的下方还设置有TiN层，所述TiN层的厚度为350-400埃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二层间介电层的厚度为5000-7000埃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，图案化所述第二层间介电层的压力为70-90mtorr，功率为800-1600W，蚀刻气体包括Ar、O₂和C₄F₈，其中，所述Ar的气体流量为140-160sccm，所述O₂的气体流量为15-19sccm，所述C₄F₈的气体流量为12-18sccm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，图案化所述第二层间介电层的压力为160-200mtorr，功率为200-400W，蚀刻气体包括Ar、O₂和CHF₃，其中，所述Ar的气体流量为400-600sccm，所述O₂的气体流量为6-10sccm，所述CHF₃的气体流量为30-50sccm。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括：提供第二晶圆，以与所述第一晶圆接合为一体。

10.一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件通过权利要求1至9之一所述方法制备得到。

11.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求10所述的MEMS器件。