[发明专利]一种静音电路及电子设备

权利要求书

1.一种静音电路，应用于包含音频电路的电子设备中，其特征在于，所述静音电路包括：主控芯片和静音控制子电路；

其中，所述主控芯片包括静音控制管脚；所述静音控制管脚与所述静音控制子电路的第一端连接，所述静音控制子电路的第二端连接至所述音频电路；

在所述电子设备上电时，所述主控芯片控制所述静音控制管脚持续处于第一状态，以通过所述静音控制子电路使得所述音频电路处于静音状态；

在所述电子设备下电时，所述主控芯片控制所述静音控制管脚处于第二状态，以通过所述静音控制子电路使得所述音频电路处于静音状态。

2.根据权利要求1所述的静音电路，其特征在于，所述静音控制子电路包括：存储单元、上电回路、下电回路和晶体管；

其中，所述存储单元的第一端通过所述上电回路连接至电源，所述存储单元的第二端接地，所述存储单元的第一端还通过所述下电回路连接至所述晶体管的基极，所述晶体管的第一极接地，所述晶体管的第二极连接至电源；

所述晶体管的基极为所述静音控制子电路的第一端，所述晶体管的第二极为所述静音控制字电路的第二端；

当所述电子设备上电时，所述主控芯片控制所述静音控制管脚持续处于所述第一状态，所述晶体管导通，使得所述晶体管的第二极通过所述第一极接地，从而使得所述音频电路处于静音状态；

当所述电子设备上电时，所述电源经所述上电回路为所述存储单元充电；

当所述电子设备下电时，所述主控芯片控制所述静音控制管脚处于所述第二状态，所述存储单元经所述下电回路维持所述晶体管的基极为高电平，所述晶体管导通，使得所述晶体管的第二极通过所述第一极接地，从而使得所述音频电路处于静音状态。

3.根据权利要求2所述的静音电路，其特征在于，所述静音控制子电路还包括：

设置于所述下电回路和所述晶体管的基极之间的电阻R1；

设置于所述晶体管的第二极和所述电源之间的电阻R2。

4.根据权利要求2或3所述的静音电路，其特征在于，所述下电回路包括二极管；所述二极管的阳极连接至所述存储单元的第一端，所述二极管的阴极连接至所述晶体管的基极。

5.根据权利要求4所述的静音电路，其特征在于，所述存储单元为电容，所述上电回路包括电阻R3，所述下电回路还包括电阻R4；

其中，所述电容的第一端与所述电阻R3的第一端连接，所述电阻R3的第二端与所述电源连接，所述电容的第二端接地；所述二极管的阳极通过所述电阻R4连接至所述电容的第一端，所述二极管的阴极连接至所述晶体管的基极。

6.根据权利要求2-5中任一项所述的静音电路，其特征在于，

所述晶体管为NPN型三极管，所述第一极为发射极，所述第二极为集电极；所述第一状态为输出高电平，所述第二状态为高阻态；

或者，

所述晶体管为PNP型三极管，所述第一极为集电极，所述第二极为发射极；所述第一状态为输出低电平，所述第二状态为保持对地导通的状态。

7.一种静音电路，应用于包含音频电路的电子设备中，其特征在于，所述静音电路包括：存储单元、上电回路、下电回路和晶体管；

其中，所述存储单元的第一端通过所述上电回路连接至电源，所述存储单元的第二端接地，所述存储单元的第一端还通过所述下电回路连接至所述晶体管的基极，所述晶体管的发射极接地，所述晶体管的集电极连接至电源，所述晶体管的集电极还连接至所述音频电路；

当所述电子设备上电时，所述电源经所述上电回路和所述下电回路维持所述晶体管的基极为高电平，所述晶体管导通，使得所述晶体管的集电极通过所述发射极接地，从而使得所述音频电路处于静音状态；

当所述电子设备上电时，所述电源经所述上电回路为所述存储单元充电；

当所述电子设备下电时，所述存储单元经所述下电回路维持所述晶体管的基极为高电平，所述晶体管导通，使得所述晶体管的集电极通过所述发射极接地，从而使得所述音频电路处于静音状态。

8.根据权利要求7所述的静音电路，其特征在于，所述静音电路还包括：

设置于所述下电回路和所述晶体管的基极之间的电阻R1；

设置于所述晶体管的集电极和所述电源之间的电阻R2。