[发明专利]非晶相碳/M金属层形成于基板的制造方法有效
| 申请号： | 201610347996.2 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107419220B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 赖富德 | 申请（专利权）人： | 高雄第一科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/34;C23C14/58;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 姚亮 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非晶相碳 金属 形成 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种非晶相碳/M金属层形成于基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包含以下步骤：
提供基板；
施以M金属溅镀工艺，电浆轰击M金属靶，以沉积M金属层于所述基板上，所述M金属是选自铜或镍其中的一种；
以电浆轰击含碳的反应气体及M金属靶以形成M金属、碳混合层于所述M金属层上；
以50℃-250℃的退火温度施以退火工艺以形成非晶相碳/M金属层于所述基板上。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述以电浆轰击含碳的反应气体及M金属靶的步骤，包含在含氢气气氛下进行溅镀，并在含氢气气氛下进行退火，形成非晶相碳/M金属层/非晶相碳于所述基板上。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述以电浆轰击含碳的反应气体及M金属靶的步骤，包含在溅镀腔体保持于250℃-400℃进行且含氢气气氛下进行溅镀，形成非晶相碳/M金属层/非晶相碳于所述基板上。
4.一种非晶相碳/M金属层形成于基板的低温制造方法，其特征在于，包含以下步骤：
提供基板；
施以溅镀工艺，以电浆同时轰击M金属靶及石墨靶，以沉积M金属、碳混合层于所述基板上，所述M金属是选自铜或镍中的一种；
以50℃-250℃的退火温度施以退火工艺以形成非晶相碳/M金属层于所述基板上。
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