[发明专利]一种低温无压烧结氮化铝陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种低温无压烧结氮化铝陶瓷的制备方法，包括配料、混合、造粒、成型和烧结，其特征在于：

（1）以高纯氮化铝粉体与外加5wt%-10wt%透辉石粉体和外加1wt%-5wt%氟化钇为原料；

（2）将步骤(1)备好的原料加入无水乙醇进行混合，然后置于100℃烘箱中烘干，再加入8wt%-18wt%质量分数为5wt%的PVB无水乙醇溶液，混合均匀造粒，放入200-400MPa压力下成型，在1500℃-1650℃、保温1-5h条件下得到氮化铝陶瓷。

2.根据权利要求1所述的低温无压烧结氮化铝陶瓷制备方法，其特征在于所述的高纯氮化铝纯度大于等于99%，粒度在0.2-2μm之间。

3.根据权利要求1所述的低温无压烧结氮化铝陶瓷制备方法，其特征在于透辉石粉体是由碳酸钙、氧化镁和氧化硅制备的。

4.根据权利要求1所述的低温无压烧结氮化铝陶瓷制备方法，其特征在于PVB无水乙醇溶液的加入量在8wt%-18wt%。

5.根据权利要求1所述的低温无压烧结氮化铝陶瓷制备方法，其特征在于成型压力为200-400MPa。

6.根据权利要求1所述的低温无压烧结氮化铝陶瓷制备方法，其特征在于无压烧结的温度是1500℃-1650℃，保温时间是1-5h。

7.根据权利要求1所述的低温无压烧结氮化铝陶瓷制备方法，其特征在于制备的氮化铝陶瓷热导率大于200W/(m.k)，三点抗折强度大于300MPa。