[发明专利]显示器件及其制作方法有效
申请号: | 201610342241.3 | 申请日: | 2016-05-20 |
公开(公告)号: | CN105785681B | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 白雅杰;许卓;金在光;金熙哲;王武;王小元 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王伟锋;刘铁生 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种显示器件,其特征在于,包括:
多列数据线、多行栅线、多个像素电极块、多个像素存储电容、多个像素开关和多个电荷共享结构;每一个像素存储电容包括一个像素电极块;每一个像素开关连接一条数据线、一条栅线和一个像素电极块;
各个电荷共享结构与各个像素存储电容一一对应,每一个电荷共享结构包括一个补充电容和与该补充电容相连的共享开关;其中共享开关还连接对应的像素存储电容中的像素电极块以及扫描顺序在该像素电极块所连接的栅线之前的栅线,适于在所连接的栅线被施加扫描脉冲时导通,将补充电容与对应的像素电极块连接。
2.如权利要求1所述的显示器件,其特征在于,所述共享开关在形成所述像素开关的工艺中形成。
3.如权利要求1所述的显示器件,其特征在于,所述补充电容的至少一个极板在形成所述显示器件中的其他导电结构的工艺中形成。
4.如权利要求3所述的显示器件,其特征在于,所述补充电容的其中一个极板在形成共享开关连接该极板的部分的工艺中形成。
5.如权利要求3或4所述的显示器件,其特征在于,所述显示器件为阵列基板;所述阵列基板还包括公共电极图形;所述补充电容的一个极板在形成所述公共电极图形的工艺中形成。
6.如权利要求5所述的显示器件,其特征在于,所述阵列基板还包括在形成栅线的工艺中形成的多条公共电极走线;各条公共电极走线与所述公共电极图形相连;
所述补充电容的一个极板在形成所述栅线和所述公共电极走线的工艺中形成,且与所述公共电极走线相连。
7.如权利要求3或4或6任一项所述的显示器件,其特征在于,所述补充电容包括第一极板和第二极板,其中所述第二极板与像素电极块相连;所述共享开关的一端连接所述第一极板,另一端连接所述第二极板;适于在所连接的栅线被施加扫描脉冲时导通,将第一极板和第二极板连接。
8.如权利要求7所述的显示器件,其特征在于,每一个像素存储电容的容值为对应的补充电容的容值的3-5.5倍。
9.如权利要求1所述的显示器件,其特征在于,所述共享开关包括薄膜晶体管;所述薄膜晶体管的栅极连接对应的栅线,源极和漏极中的一个连接对应的补充电容、另一个连接对应的像素电极块。
10.一种显示器件的制作方法,其特征在于,包括:形成多行数据线、多行栅线、多个像素电极块、多个像素存储电容、多个像素开关和多个电荷共享结构;每一个像素存储电容包括一个像素电极块;每一个像素开关连接一条数据线、一条栅线和一个像素电极块;
各个电荷共享结构与各个像素存储电容一一对应,每一个电荷共享结构包括一个补充电容和与该补充电容相连的共享开关;其中共享开关还连接对应的像素存储电容中的像素电极块以及扫描顺序在该像素电极块所连接的栅线之前的栅线,适于在所连接的栅线被施加扫描脉冲时导通,将补充电容与对应的像素电极块连接。
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