[发明专利]有源像素传感器电路、驱动方法和图像传感器有效
申请号: | 201610341437.0 | 申请日: | 2016-05-20 |
公开(公告)号: | CN105789202B | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 杨盛际;董学;薛海林;陈小川;王海生;刘英明;赵卫杰;丁小梁;王春雷;李伟;孙泽斌 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/146 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 像素 传感器 电路 驱动 方法 图像传感器 | ||
1.一种有源像素传感器电路,其特征在于,包括感光器件、第一存储电容、第二存储电容和源极跟随晶体管;所述感光器件的第一极与第一电平线连接;所述第二存储电容的第一端与第一电平线连接;所述源极跟随晶体管的栅极与所述第一存储电容的第一端连接,所述源极跟随晶体管的第一极与第二电平线连接;所述有源像素传感器电路还包括:
重置模块,分别与所述第一存储电容的第一端和所述第一存储电容的第二端连接,用于在重置阶段控制所述第一存储电容的第一端与第一重置电压线连接,并控制所述第一存储电容的第二端与第二重置电压线连接;
充电控制模块,分别与所述感光器件的第二极、所述第二存储电容的第二端、所述源极跟随晶体管的栅极和所述源极跟随晶体管的第二极连接,用于在重置阶段和充电阶段控制所述感光器件的第二极与所述第二存储电容的第二端连接,并在充电阶段控制所述源极跟随晶体管的栅极与所述源极跟随晶体管的第二极连接;
补偿控制模块,分别与所述第二存储电容的第二端和所述第一存储电容的第二端连接,用于在重置阶段和补偿阶段控制所述第二存储电容的第二端和所述第一存储电容的第二端连接;以及,
信号读取控制模块,分别与光电流信号读取线和所述源极跟随晶体管的第二极连接,用于在信号读取阶段控制所述光电流信号读取线和所述源极跟随晶体管的第二极连接。
2.如权利要求1所述的有源像素传感器电路,其特征在于,所述重置模块还与重置控制信号线连接,具体用于在重置阶段在重置控制信号的控制下控制所述第一存储电容的第一端与第一重置电压线连接,并控制所述第一存储电容的第二端与第二重置电压线连接;
所述充电控制模块还分别与第一充电控制信号线和第二充电控制信号线连接,具体用于在重置阶段和充电阶段在第一充电控制信号的控制下控制所述感光器件的第二极与所述第二存储电容的第二端连接,并在充电阶段在第二充电控制信号的控制下控制所述源极跟随晶体管的栅极与所述源极跟随晶体管的第二极连接;
所述补偿控制模块,还与补偿控制信号线连接,用于在重置阶段和补偿阶段在补偿控制信号的控制下控制所述第二存储电容的第二端和所述第一存储电容的第二端连接;以及,
信号读取控制模块,还与读取控制信号线连接,用于在信号读取阶段在读取控制信号的控制下控制所述光电流信号读取线和所述源极跟随晶体管的第二极连接。
3.如权利要求2所述的有源像素传感器电路,其特征在于,所述重置模块包括:
第一重置晶体管,栅极与所述重置控制信号线连接,第一极与第一重置电压线连接,第二极与所述第一存储电容的第一端连接;以及,
第二重置晶体管,栅极与所述重置控制信号线连接,第一极与第二重置电压线连接,第二极与所述第一存储电容的第二端连接。
4.如权利要求3所述的有源像素传感器电路,其特征在于,所述充电控制模块包括:
第一充电控制晶体管,栅极与所述第一充电控制信号线连接,第一极与所述感光器件的第二极连接,第二极与所述第二存储电容的第二端连接;以及,
第二充电控制晶体管,栅极与所述第二充电控制信号线连接,第一极与所述源极跟随晶体管的栅极连接,第二极与所述源极跟随晶体管的第二极连接。
5.如权利要求4所述的有源像素传感器电路,其特征在于,所述补偿控制模块包括:补偿控制晶体管,栅极与补偿控制信号线连接,第一极与所述第一存储电容的第二端连接,第二极与所述第二存储电容的第二端连接。
6.如权利要求5所述的有源像素传感器电路,其特征在于,所述信号读取控制模块包括:信号读取控制晶体管,栅极与所述读取控制信号线连接,第一极与所述源极跟随晶体管的第二极连接,第二极与所述光电流信号读取线连接。
7.如权利要求1至6中任一权利要求所述的有源像素传感器电路,其特征在于,所述感光器件包括光电二极管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的