[发明专利]用于芯片测试设备的真空吸附装置有效
申请号: | 201610330886.5 | 申请日: | 2016-05-18 |
公开(公告)号: | CN107402345B | 公开(公告)日: | 2019-12-27 |
发明(设计)人: | 柳继营;赵丹;黄海军 | 申请(专利权)人: | 无锡华润安盛科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214028 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 芯片 测试 设备 真空 吸附 装置 | ||
1.一种用于芯片测试设备的真空吸附装置,包括固定在一起的座体(8)与盖板(1);所述盖板(1)的外表面上设置有向外凸出的芯片引脚支撑壁(3),所述芯片引脚支撑壁(3)之间形成芯片容纳腔(2);所述座体(8)上开有与所述芯片容纳腔(2)的所处位置相对应的通孔(12);其特征是:所述座体(8)的通孔(12)与所述盖板(1)的芯片容纳腔(2)之间安装有吸嘴部件(6),所述吸嘴部件(6)包括吸嘴柱体(18)及橡胶吸嘴(17),所述吸嘴柱体(18)上设置有轴向贯穿的气孔(21),所述吸嘴柱体(18)的一端从所述座体(8)的通孔(12)内伸出,所述吸嘴柱体(18)的另一端固定有所述橡胶吸嘴(17),所述橡胶吸嘴(17)与所述气孔(21)相连通,所述橡胶吸嘴(17)位于所述芯片容纳腔(2)内;所述吸嘴柱体(18)的圆柱表面套有弹簧(9);
所述橡胶吸嘴(17)的端部可伸缩,所述橡胶吸嘴(17)的缓冲行程超过待测试芯片(4)的芯片引脚(5)与所述芯片引脚支撑壁(3)之间的最大间隙。
2.按照权利要求1所述的用于芯片测试设备的真空吸附装置,其特征是:所述吸嘴柱体(18)由铜材制成。
3.按照权利要求1所述的用于芯片测试设备的真空吸附装置,其特征是:所述吸嘴柱体(18)包括中间柱体(15)及位于所述中间柱体(15)两侧的第一柱体(13)与第二柱体(16),所述第二柱体(16)的外端设置有固定所述橡胶吸嘴(17)的吸嘴接口(19)。
4.按照权利要求3所述的用于芯片测试设备的真空吸附装置,其特征是:所述吸嘴接口(19)上设置有锥形倒钩(20)。
5.按照权利要求3所述的用于芯片测试设备的真空吸附装置,其特征是:所述第一柱体(13)的圆柱表面开有凹槽(14),密封圈(10)安装于所述凹槽(14)内。
6.按照权利要求1所述的用于芯片测试设备的真空吸附装置,其特征是:所述橡胶吸嘴(17)的缓冲行程为待测试芯片(4)的芯片引脚(5)与所述芯片引脚支撑壁(3)之间最大间隙的两倍。
7.按照权利要求6所述的用于芯片测试设备的真空吸附装置,其特征是:所述待测试芯片(4)的芯片引脚(5)与所述芯片引脚支撑壁(3)之间最大间隙为0-1.2mm,所述橡胶吸嘴(17)的缓冲行程为1.2-2.4mm。
8.按照权利要求1所述的用于芯片测试设备的真空吸附装置,其特征是:所述盖板(1)与所述座体(8)之间设置有压板(7);所述压板(7)固定在所述座体(8)上并将所述吸嘴部件(6)压住。
9.按照权利要求8所述的用于芯片测试设备的真空吸附装置,其特征是:所述座体(8)内设置有定位凸台(11)。
10.按照权利要求1所述的用于芯片测试设备的真空吸附装置,其特征是:所述座体(8)内设置有两套吸嘴部件(6)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造