[发明专利]单晶硅双面太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.单晶硅双面太阳电池，在单晶硅衬底(100)的正面依次形成正面制绒形貌结构(1)、正面PN发射结(2)、正面钝化减反介质层(3)以及正面电极(4)，在单晶硅衬底的背面依次形成背面制绒形貌结构(5)、背表面场(6)、背面钝化减反介质层(7)以及背面电极(8)，其特征在于：所述背面制绒形貌结构(5)为平台形绒面，各平台结构(5a)分散，或者，平铺，或者，部分分散、部分平铺、部分相连、部分交叠地分布在硅衬底上；所述平台结构(5a)具有与硅衬底(100)相连接的下平面及下平面相对的上平面，下平面的尺寸大于上平面；所述上平面的边长为2至10μm，平台结构(5a)的高度为1至8μm。

2.根据权利要求1所述的单晶硅双面太阳电池，其特征在于：所述正面钝化减反介质层(3)和背面钝化减反介质层(7)分别为由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅、微晶硅、氧化铟锡或者氧化钛为材料组成的单层膜或多层膜。

3.根据权利要求1所述的单晶硅双面太阳电池，其特征在于：所述正面电极(104)、背面电极(108)为银、铝、铜、镍、钛、锡、铅、镉、金、锌的一种或多种金属或其合金。

4.一种单晶硅双面太阳电池的制备方法，用于制备权利要求1-3任一所述单晶硅双面太阳电池，包括如下步骤：

S1：在单晶硅衬底表面制绒；

S2：正面掺杂形成发射结；

S3：去除背面含杂质玻璃层；

S4：湿化学法制备背面平台结构，并去除背面掺杂层；

S5：背面掺杂形成背表面场；

S6：制备正面、背面钝化减反介质层；

S7：制备正面、背面电极。

5.根据权利要求4所述的单晶硅双面太阳电池的制备方法，其特征在于：在步骤S4中，湿化学法制备背面平台结构所采用的化学药剂有氢氧化钠、氢氧化钾、四甲基氢氧化铵、硝酸、磷酸、氢氟酸、乙醇、异丙醇或乙二醇中的一种或两种以上混合的水溶液；制备温度是60至80℃，时间是10-900秒。

6.根据权利要求4所述的单晶硅双面太阳电池的制备方法，其特征在于：在步骤S2和S3之间，还包括如下步骤：

S2-1：正面沉积阻挡层：采用PECVD在正面沉淀氧化硅薄膜的工艺阻挡层，厚度是50至300nm。

7.根据权利要求4所述的单晶硅双面太阳电池的制备方法，其特征在于：在步骤S5和S6之间，还包括如下步骤：

S5-1：使用氢氟酸去除正面的氧化硅、磷硅玻璃和背面的硼硅玻璃。