[发明专利]应用于高频三极管中L型侧墙的制作方法

说明书

本发明提供一种应用于高频三极管中L型侧墙的制作方法，包括：在N型外延层上形成Ploy层，在Ploy层上进行P+注入形成P+Ploy层并在其上形成第一LP TEOS层；依次对第一LP TEOS层和P+Ploy层进行刻蚀；在N型外延层上且在P+Ploy层侧面形成氧化层，同时在N型外延层进行P+扩散形成P+扩散层；在N型外延层内且在所述氧化层下进行基区注入以形成基区层；在氧化层和第一LP TEOS层上形成LP SIN层；在LP SIN层上形成第二LP TEOS层；对第二LP TEOS层各向异性回刻，形成SIO₂侧墙；对LP SIN层中部区域不完全湿法腐蚀；对SIO₂侧墙完全湿法腐蚀；对中部区域剩余的LP SIN层完全湿法腐蚀；对中部区域对应的氧化层完全湿法腐蚀。本发明所述方法制作的L型侧墙并不会高出LPTEOS层，不会对芯片表面平坦化造成负面影响。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，尤其涉及一种应用于高频三极管中L型侧墙的制作方法。

背景技术

高频三极管区别于普通三极管的特征主要是其晶体管特征尺寸小、击穿电压低、特征频率极高，制作工艺难度大。其一般应用在VHF、UHF、CATV、无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器上，这些使用场合大都用在低电压、小信号、小电流、低噪声条件下。

为达到最高的特征频率，必须尽可能降低器件的寄生电容，尽可能将其发射区及基区结深做浅。传统的高频三极管通常采用多晶发射极工艺，减小发射极结深，提升频率。为使性能最优，最前沿的高频三极管对基极也采用多晶工艺处理，采用这种工艺在硅衬底上制作的高频三极管，特征频率可以达到25G。而多晶工艺中较为关键的是L型侧墙的制作技术，目前L型侧墙制作时，尤其在刻蚀的时候易损伤到下方硅衬底，造成漏电、Beta异常，以及一系列的可靠性问题。

发明内容

本发明提供一种应用于高频三极管中L型侧墙的制作方法，用于解决现有技术中L型侧墙制作时在刻蚀的时候易损伤到基区层，造成漏电、Beta异常，以及一系列的可靠性问题的问题。

本发明提供一种应用于高频三极管中L型侧墙的制作方法，包括：

在N型外延层上形成Ploy层，在所述Ploy层上进行P+注入形成P+Ploy层，在所述P+Ploy层上形成第一LP TEOS层；

依次对第一LP TEOS层和P+Ploy层进行刻蚀；

在所述N型外延层上且在所述P+Ploy层侧面形成氧化层，同时在所述N型外延层进行P+扩散形成P+扩散层；

在所述N型外延层内且在所述氧化层下进行基区注入以形成基区层；

在所述氧化层和所述第一LP TEOS层上形成LP SIN层；

在所述LP SIN层上形成第二LP TEOS层；

对所述第二LP TEOS层各向异性回刻，形成SIO2侧墙；

对所述LP SIN层中部区域不完全湿法腐蚀；

对所述SIO2侧墙完全湿法腐蚀；

对中部区域剩余的LP SIN层完全湿法腐蚀；

对所述中部区域对应的氧化层完全湿法腐蚀。

优选地，在所述N型外延层上且在所述P+Ploy层侧面形成氧化层的氧化条件为：氧化温度在1000℃-1100℃之间，氧化层厚度在30A-300A之间。

优选地，所述LP SIN层的厚度在400A-1500A之间。

优选地，所述第二LP TEOS层的厚度在2000A-6000A之间。