[发明专利]一种阵列碳纳米薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610326454.7 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107381539B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张伟;吉小超;于鹤龙;王红美;杜军;郭蕾 | 申请（专利权）人： | 北京睿曼科技有限公司;河北京津冀再制造产业技术研究有限公司;中国人民解放军装甲兵工程学院 |
| 主分类号： | C01B32/162 | 分类号： | C01B32/162 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 100043 北京市石景山*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种阵列碳纳米管薄膜的制备方法，包括以下步骤：
A)，将基底置于PECVD设备的腔体中负极板上的金属网罩中，金属网罩上方放置叠加的两块催化剂金属板；
B)，在PEVCD设备的腔体中通入反应气体，加热后接通电源，利用催化剂板间的空心阴极效应溅射在基底表面得到催化剂薄膜；
C)，将PEVCD设备的腔体加热后通入碳源和载气，接通电源，反应后在基底表面得到阵列碳纳米管薄膜；
步骤A)中所述反应气体为的氢气和氩气，所述反应温度为300～500℃，所述电源的功率为500～1000W；
所述氢气的流量为30～80sccm，所述氩气的流量为30～80sccm。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述两块催化剂金属板之间的距离为1～5cm，所述催化剂金属板的材质为铁、钴、镍或复合金属材料。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤C)中所述碳源包括甲烷、乙炔和正丁烷中的一种或多种，所述碳源的流量为5～50sccm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述载气为氢气和氩气，所述氢气的流量为30～80sccm，所述氩气的流量为30～80sccm。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤C)中所述反应的温度为350～500℃，所述电源的功率为10～200W，所述反应的时间为10～100min。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基底为具有光滑表面的基底，优选为硅片、玻璃或表面抛光后的金属。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤B)中所述催化剂薄膜的厚度为1～50nm。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属网罩为圆筒状不锈钢网罩或圆筒状铜网罩。
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