[发明专利]存储器装置及其数据存取方法

说明书

本发明提供了一种存储器装置及其数据存取方法。存储器装置包括第一及第二存储器单元，第二存储器单元的存取速度大于第一存储器单元的存取速度。此方法包括接收写入数据及对应的写入地址；比对写入数据以及在第二存储器单元中对应写入地址的数据，以决定是否将写入数据写入至第一存储器单元的目前实体存储页中，以及将写入数据写入至第二存储器单元中；在执行数据写入动作之后，当目前实体存储页被写满时，依据第二存储器单元的数据对目前实体存储页执行数据整理动作；当接收到读取指令时，读取第二存储器单元中对应的数据。

技术领域

本发明是有关于一种数据存取技术，且特别是有关于一种兼具可靠度以及高读写速度的存储器装置及其数据存取方法。

背景技术

可擦除可程序化只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read OnlyMemory，EEPROM)能够以字节(byte)为单位进行数据的读取/写入动作，并可具有高达百万次的可擦写次数。上述高读写速度以及高可靠度的特点，使得可擦除可程序化只读存储器被广泛地应用于嵌入式系统、存储系统等许多应用中。

对于单芯片产品而言，现有技术并非使用内建的可擦除可程序化只读存储器，而是利用闪存(Flash Memory)来提供数据存储的功能。然而，闪存的可擦写次数一般约为两万次，而远不及可擦除可程序化只读存储器的可擦写次数，造成数据可靠度受到限制。

发明内容

本发明提供一种存储器装置及其数据存取方法，其可提供良好的数据可靠度以及高读取速度。

本发明提出一种存储器装置的数据存取方法。存储器装置包括第一存储器单元及第二存储器单元，其中第一存储器单元包括多个实体存储页，第二存储器单元的数据存取速度大于第一存储器单元的数据存取速度。所述数据存取方法包括下列步骤。接收写入数据，其中写入数据对应于写入地址，比对写入数据以及在第二存储器单元中对应写入地址的第一数据，以产生比对结果，并依据比对结果决定是否执行数据写入动作，其中数据写入动作包括将写入数据写入至第一存储器单元的目前实体存储页中未被写入的存储栏位，以及将写入数据写入至第二存储器单元中对应写入地址的存储栏位。当执行数据写入动作之后，判断第一存储器单元的目前实体存储页是否被写满。当第一存储器单元的目前实体存储页被写满时，依据在第二存储器单元中对应目前实体存储页的多笔数据以对目前实体存储页执行数据整理动作。当接收到读取指令时，依据读取指令中的读取地址，以读取在第二存储器单元中对应读取地址的第二数据。

在本发明的一实施例中，上述比对写入数据以及在第二存储器单元中对应写入地址的第一数据，以产生比对结果，并依据比对结果决定是否执行数据写入动作的步骤包括判断写入数据是否与第一数据相同，当写入数据与第一数据相同时，不执行数据写入动作，以及当写入数据与第一数据不同时，执行数据写入动作。

在本发明的一实施例中，上述的目前实体存储页包括多个存储栏位，各存储栏位用以存储地址信息以及对应的数据内容，第二存储器单元中对应地址信息的存储栏位只用以存储数据内容，且数据写入动作更包括将写入地址以及该写入数据写入至目前实体存储页中未被写入的存储栏位，以及只将写入数据写入至第二存储器单元中对应写入地址的存储栏位。

在本发明的一实施例中，上述当第一存储器单元的目前实体存储页被写满时，依据在第二存储器单元中对应目前实体存储页的数据以对目前实体存储页执行数据整理动作的步骤包括选择所述实体存储页的其中的一以建立置换实体存储页，其中置换实体存储页与目前实体存储页不同，复制在第二存储器单元中对应目前实体存储页的数据中的至少一有效数据至第一存储器单元的置换实体存储页，以及擦除目前实体存储页，并将置换实体存储页设定为目前实体存储页。