[发明专利]基于掩模板规则限制优化光学临近修正结果的方法有效
申请号: | 201610326182.0 | 申请日: | 2016-05-17 |
公开(公告)号: | CN105759561B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 何大权;魏芳;朱骏;吕煜坤;张旭升 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 模板 规则 限制 优化 光学 临近 修正 结果 方法 | ||
1.一种基于掩模板规则限制优化光学临近修正结果的方法,其特征在于包括:
第一步骤:根据通孔与上下层的互连关系选择出单一通孔,其中,所述单一通孔是指在连接下层同一个金属图形和上层同一金属图形中只有一个通孔的情况下的通孔;
第二步骤:在对目标图形进行分段后,选择出互相之间受到掩模板规则限制的密集线端;
第三步骤:选择线端对单一通孔包含量小于规定值的线端,其中,规定值为设计规则规定的通孔离线段的最小距离的1.02倍;
第四步骤:根据第二步骤与第三步骤选定的线端进行逻辑运算,得到在光学临近修正处理中被限制的线端;
第五步骤:为第四步骤确定的在光学临近修正处理中被限制的线端设定最大修正量;
第六步骤:进行基于模型的光学临近修正迭代过程,得到最终光学临近修正结果。
2.根据权利要求1所述的基于掩模板规则限制优化光学临近修正结果的方法,其特征在于,互相之间受到掩模板规则限制的密集线端指的是在光学临近修正迭代过程中,受到光学临近修正后最小图形间距的限制而无法往图形外部继续修正的线端。
3.根据权利要求1所述的基于掩模板规则限制优化光学临近修正结果的方法,其特征在于,在第一步骤中通过Calibre SVRF工具选择出单一通孔。
4.根据权利要求1所述的基于掩模板规则限制优化光学临近修正结果的方法,其特征在于,线端对单一通孔包含量指的是金属图形线端距离通孔的大小。
5.根据权利要求1所述的基于掩模板规则限制优化光学临近修正结果的方法,其特征在于,第二步骤、第三步骤、第四步骤、第五步骤和第六步骤通过Calibre nmOPC工具实现。
6.根据权利要求1所述的基于掩模板规则限制优化光学临近修正结果的方法,其特征在于,规定值大于设计规则规定的通孔离线段的最小距离。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
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