[发明专利]载台和切割方法有效
申请号: | 201610326162.3 | 申请日: | 2016-05-17 |
公开(公告)号: | CN105921894B | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 李晓虎;孙中元;王路;朱海彬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;B23K26/70;B23K26/38 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切割 方法 | ||
技术领域
本公开的实施例涉及一种载台和切割方法。
背景技术
在工业生产中,经常需要对待切割物进行切割,在切割时需要用到用于承载待切割物的载台。
激光切割是利用物质激发产生的激光进行切割的工艺,当激光接触待切割物时,能够迅速使待切割物融化,再根据预设路径移动完成切割。激光切割相对于传统的切割方法,切割精度更高,缝隙更小,能够节省材料,所以激光切割已经越来越广泛地应用到工业生产中。
发明内容
本公开的实施例提供一种载台,包括台体和多个活塞,所述台体包括台面,所述台面中设置有多个开孔,所述多个活塞分别设置于至少部分所述多个开孔中,且被配置为可沿所述开孔的侧壁相对所述台面往复运动。
例如,本公开实施例提供的载台,还包括驱动机构,其中,所述驱动机构被配置为可分别驱动所述多个活塞沿所述开孔的侧壁相对所述台面往复运动。
例如,在本公开实施例提供的载台中,所述驱动机构包括连接部和传动部,所述活塞和所述传动部通过所述连接部连接。
例如,本公开实施例提供的载台,还包括动力设备,其中,所述动力设备与所述传动部连接,并可驱动所述传动部。
例如,在本公开实施例提供的载台中,所述动力设备包括电动机、燃油发动机或手动动力设备中的一种或其组合。
例如,在本公开实施例提供的载台中,所述活塞由弹性材料制成。
例如,在本公开实施例提供的载台中,所述活塞与所述开孔的侧壁为紧密配合。
例如,在本公开实施例提供的载台中,所述多个开孔的尺寸相同。
例如,在本公开实施例提供的载台中,所述多个开孔呈矩阵分布。
例如,本公开实施例提供的载台,还包括气压传感器,其中,所述气压传感器设置于至少一个所述开孔的侧壁上且位于所述活塞与所述台面之间的位置或所述活塞接近所述台面的一侧。
例如,本公开实施例提供的载台,还包括控制器,其中,所述控制器被配置为接收所述气压传感器检测并发送的实际气压数据,并比较所述实际气压数据与预设气压数据,从而控制所述活塞的移动方向。
例如,本公开实施例提供的载台,还包括输入设备和输出设备,其中,所述输入设备被配置为输入所述预设气压数据;所述输出设备被配置为输出所述实际气压数据。
本公开的实施例还提供一种采用本公开任一实施例所述载台的薄膜切割方法,包括:在所述台体的所述台面上设置膜状待切割物,其中,所述待切割物至少覆盖部分所述开孔;驱动所述活塞沿所述开孔的侧壁向远离所述台面的方向运动,以将所述膜状待切割物吸附在所述台面上;切割所述待切割物。
例如,本公开实施例提供的切割方法,还包括:在所述台面上设置所述待切割物之前,驱动所述活塞沿所述开孔的侧壁向接近所述台面的方向运动以进行初始化。
例如,在本公开实施例提供的切割方法中,在切割所述待切割物的过程中,切割的路径经过所述待切割物覆盖的开孔中的部分。
例如,本公开实施例提供的切割方法,还包括:当所述开孔中的实际气压数据小于预设气压数据时,驱动所述活塞沿所述开孔的侧壁向接近所述台面的方向运动;当所述开孔中的实际气压数据大于预设气压数据时,驱动所述活塞沿所述开孔的侧壁向远离所述台面的方向运动。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,并非对本公开的限制。
图1是本公开实施例提供的一种载台的侧视示意图之一;
图2是本公开实施例提供的一种载台的侧视示意图之二;
图3是本公开实施例提供的一种载台的俯视示意图;以及
图4是本公开实施例提供的一种切割方法的流程图。
附图标记
10-载台;100-台体;110-台面;120-开孔;130-活塞;200-驱动机构;210-连接部;220-传动部;300-动力设备;400-气压传感器;500-控制器;600-输入设备;700-输出设备;800-膜状待切割物。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造