[发明专利]一种紫外光掩膜装置及其使用方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示制造技术领域，尤其涉及一种紫外光掩膜装置及其使用方法。

背景技术

目前，在制造显示面板的过程中，在掩膜曝光机、边缘曝光机、密封剂硬化器、以及触摸面板的光学透明树脂(OCR)硬化灯工艺中，一般会使用紫外光。在这些工艺中一般会采用特定吸收波长的紫外光，目前一般采用水银灯和金属卤化物灯，目前使用的紫外灯会混合进一些在工艺中不需要使用的波长进行照射，因此具有一定的光损失且会危害工艺的稳定性。并且，目前使用的紫外灯含有臭氧(O3)和重金属水银，对人体或环境会造成一定有害的影响。此外，由于现有的紫外灯在发光的过程中伴随着巨大的热能，如图1所示，因此需要将紫外灯001与需要被光照射的部件例如掩膜基板200之间设定一定的距离a以便散热，会降低光利用率，而现有的紫外灯为线光源，此时为了使照射到部件的光线均匀性，需要增大紫外灯的功耗，这会进一步增大光损失。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种紫外光掩膜装置及其使用方法，用以解决现有的紫外光掩膜装置中采用水银灯和金属卤化物灯作为光源时光利用率低且光损失大的问题。

因此，本发明实施例提供了一种紫外光掩膜装置，包括：设置有至少一种发射单一中心波长的紫外发光二极管紫外发光二极管的光源阵列；

设置在所述光源阵列下方且与所述光源阵列具有设定距离的掩膜基板，所述掩膜基板用于将掩膜板固定于所述掩膜基板的下方；以及，

设置在所述掩膜基板下方且与所述掩膜基板具有设定距离的载台，所述载台用于承载需要被所述掩膜板掩膜的基板。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述紫外光掩膜装置中，在所述光源阵列中，从中心区域指向边缘的方向，所述紫外发光二极管的分布密度逐渐增大。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述紫外光掩膜装置中，在所述光源阵列中拐角区域内所述紫外发光二极管的分布密度大于边缘区域内所述紫外发光二极管的分布密度。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述紫外光掩膜装置中，所述光源阵列中设置有至少两种发射中心波长不同的紫外发光二极管，各种发射中心波长不同的紫外发光二极管在所述光源阵列的行方向和列方向均交替排列。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述紫外光掩膜装置中，所述光源阵列具有冷却系统；和/或，

在所述紫外光掩膜装置中设置有冷却器或工艺冷却水系统。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述紫外光掩膜装置中，所述光源阵列与所述掩膜基板之间的距离为50mm-120mm。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述紫外光掩膜装置中，所述光源阵列与所述掩膜基板之间的距离为80mm-100mm。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述紫外光掩膜装置中，所述光源阵列与所述掩膜基板之间的距离为90mm。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述紫外光掩膜装置中，所述紫外光掩膜装置为紫外光掩膜固化装置或紫外光掩膜曝光装置。

另一方面，本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述紫外光掩膜装置的使用方法，包括：

在所述掩膜基板的下方固定所述掩膜板；

在所述载台上固定形成有设定材料的基板；

采用所述光源阵列通过所述掩膜板的遮挡照射所述形成有设定材料的基板；所述光源阵列中的至少一种所述紫外发光二极管发射的中心波长与所述设定材料的吸收波长对应。

本发明实施例的有益效果包括：

本发明实施例提供的一种紫外光掩膜装置及其使用方法，在紫外光掩膜装置中采用至少一种发射单一中心波长的紫外发光二极管形成的光源阵列作为紫外发光光源。紫外发光二极管不含有臭氧和重金属水银等有害物质，不会对人体或环境产生有害影响。并且，紫外发光二极管可以发射单一中心波长，因此，可以针对掩膜工艺中所需的特定吸收波长设定紫外光发光二极管的发射中心波长，以实现预期的化学反应或工艺，这样可以降低光损失以及保证工艺的稳定性。此外，紫外发光二极管为冷光源，其发光过程中产生的热量较少，相对于现有的水银灯和金属卤化物灯，可以移近紫外发光二极管和需要被光照射的部件之间的距离，从而降低光损失以提高光利用率。

附图说明

图1为现有技术中的紫外光掩膜装置的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的紫外光掩膜装置的结构示意图；