[发明专利]一种在D形光纤中嵌入微环谐振腔的方法在审
| 申请号： | 201610324885.X | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN105759363A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 闫海涛;张超;赵晓艳;甄志强;夏立新 | 申请（专利权）人： | 河南科技大学 |
| 主分类号： | G02B6/293 | 分类号： | G02B6/293 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 罗民健 |
| 地址： | 471000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光纤 嵌入 谐振腔 方法 | ||
1.一种在D形光纤中嵌入微环谐振腔的方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）将D形光纤的曲面部分固定，D形光纤的平面部分涂上光刻胶并烘干；
（2）将步骤（1）得到的D形光纤装在光刻机上，光刻机上还装有掩膜板，该掩膜板刻有用于定位D形光纤的平面部分中线位置的图案，通过掩膜板对D形光纤的平面部分进行曝光，曝光位置为D形光纤平面部分的中线位置，使中线位置的光刻胶发生光化反应；
（3）将步骤（2）得到的D形光纤用干燥机加热后，浸入丙酮中显影以除去曝光位置的光刻胶，使D形光纤平面部分的中线位置标记有掩膜板上的图案；
（4）对步骤（3）得到的D形光纤采用聚焦离子刻蚀方法，在其平面部分刻蚀一个微环谐振腔或多个级联的微环谐振腔，所述微环谐振腔的圆心位于D形光纤平面部分的中线位置。
2.根据权利要求1所述的一种在D形光纤中嵌入微环谐振腔的方法，其特征在于，所述掩膜板上携带有一个单峰图案。
3.根据权利要求2所述的一种在D形光纤中嵌入微环谐振腔的方法，其特征在于，所述掩膜板上单峰图案的峰宽是3-10微米，峰高是30微米，峰的方向是沿光纤的纤芯方向，单峰的对称轴与D形光纤平面部分的中线重合。
4.根据权利要求1所述的一种在D形光纤中嵌入微环谐振腔的方法，其特征在于，所述D形光纤用干燥机进行加热的温度是50℃，时间是5分钟。
5.根据权利要求1所述的一种在D形光纤中嵌入微环谐振腔的方法，其特征在于，所述聚焦离子束刻蚀方法的离子源是Ga+，刻蚀电压是30kV，束电流是100pA。
6.根据权利要求1所述的一种在D形光纤中嵌入微环谐振腔的方法，其特征在于，所述微环谐振腔的外直径是1微米，内直经是0.8微米，深度是2微米。
7.根据权利要求1所述的一种在D形光纤中嵌入微环谐振腔的方法，其特征在于，所述微环谐振腔是3个或5个级联的微环谐振腔。
8.根据权利要求1所述的一种在D形光纤中嵌入微环谐振腔的方法，其特征在于，所述D形光纤的曲面部分是通过硅胶固定在一V形凹槽中。
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