[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的有机膜层以及像素电极，所述衬底基板包括若干阵列排列的亚像素单元，其特征在于，所述有机膜层设置为具有交替分布的若干凸起部和若干凹陷部的结构，其中，所述凸起部所在平面高于所述凸起部相邻两侧的结构所在平面，所述凹陷部所在平面低于所述凹陷部相邻两侧的结构所在平面；

所述凸起部的位置至少与第一亚像素单元包括的第一像素电极的位置对应；

所述凹陷部的位置至少与第二亚像素单元包括的第二像素电极的位置对应；

所述第一亚像素单元与所述第二亚像素单元为相邻的亚像素单元；所述第一像素电极为靠近所述第二亚像素单元的像素电极，所述第二像素电极为靠近所述第一亚像素单元的像素电极，所述像素电极为狭缝状电极；

所述凸起部所在平面与所述凹陷部所在平面之间的距离为0.5微米到2微米。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，针对每一行亚像素单元，所述凸起部的位置与所述第一亚像素单元的位置对应；所述凹陷部的位置与所述第二亚像素单元的位置对应。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述凸起部关于所述衬底基板的中心轴线对称分布。

4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述凹陷部关于所述衬底基板的中心轴线对称分布。

5.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-4任一权项所述的阵列基板。

6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求5所述的显示面板。

7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上通过构图工艺制作栅极、源极和漏极；

在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作有机膜层，制作形成的有机膜层包括交替分布的若干凸起部和若干凹陷部，其中，所述凸起部所在平面高于所述凸起部相邻两侧的结构所在平面，所述凹陷部所在平面低于所述凹陷部相邻两侧的结构所在平面，所述凸起部所在平面与所述凹陷部所在平面之间的距离为0.5微米到2微米；

在所述有机膜层上通过构图工艺依次制作公共电极、绝缘层以及像素电极；其中：

所述衬底基板包括若干阵列排列的亚像素单元，所述凸起部的位置至少与第一亚像素单元包括的第一像素电极的位置对应；所述凹陷部的位置至少与第二亚像素单元包括的第二像素电极的位置对应；

所述第一亚像素单元与所述第二亚像素单元为相邻的亚像素单元；所述第一像素电极为靠近所述第二亚像素单元的像素电极，所述第二像素电极为靠近所述第一亚像素单元的像素电极，所述像素电极为狭缝状电极。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在完成上述步骤的衬底基板上通过构图工艺制作有机膜层，包括：

在完成上述步骤的衬底基板上沉积有机薄膜；

采用灰阶掩膜板或半阶掩膜板对所述有机薄膜进行曝光，曝光后进行显影，形成有机膜层。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述公共电极为面电极。