[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：晶体硅片，依次位于所述晶体硅片的一侧上的第一选择层、第一透明导电层、及第一电极，以及依次位于所述晶体硅片的另一侧上的第二选择层、及第二电极；

其中，所述晶体硅片为N型晶体硅片，所述第一选择层为空穴选择性接触层，所述第一选择层的功函数大于等于5.3eV；所述第二选择层为电子选择性接触层；

或，

所述晶体硅片为P型晶体硅片，所述第一选择层为电子选择性接触层，所述第一选择层的功函数小于等于3.9eV；所述第二选择层为空穴选择性接触层。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池还包括位于所述第一选择层与所述晶体硅片之间的第一钝化层。

3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层选自本征非晶硅或非化学计量的硅氧化合物。

4.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为1～3nm。

5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池还包括位于所述第二选择层与所述晶体硅片之间的第二钝化层。

6.根据权利要求1-5任一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述空穴选择性接触层选自非化学计量的钼氧化合物或非化学计量的钨氧化合物；所述电子选择性接触层选自金属卤化物，所述金属卤化物中的金属选自碱金属和碱土金属中的一种或几种。

7.根据权利要求1-5任一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述空穴选择性接触层的厚度为5～10nm；所述电子选择性接触层的厚度为1～3nm。

8.一种权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在晶体硅片的一侧形成第一选择层；当所述晶体硅片为N型晶体硅片，所述第一选择层为空穴选择性接触层，所述第一选择层的功函数大于等于5.3eV；当所述晶体硅片为P型晶体硅片，所述第一选择层为电子选择性接触层，所述第一选择层的功函数小于等于3.9eV；

在所述第一选择层上形成第一透明导电层；

在所述第一透明导电层上形成第一电极；

在所述晶体硅片的另一侧形成第二选择层；当所述第一选择层为空穴选择性接触层时，所述第二选择层为电子选择性接触层；当所述第一选择层为电子选择性接触层时，所述第二选择层为空穴选择性接触层；

在所述第二选择层上形成第二电极。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述空穴选择性接触层采用等离子体增强化学气相沉积法、原子层沉积法、或热蒸发沉积法形成；所述电子选择性接触层采用热蒸发沉积法形成。