[发明专利]一种一维无机高分子及其通用制备方法有效

专利信息
申请号: 201610315617.1 申请日: 2016-05-12
公开(公告)号: CN106006575B 公开(公告)日: 2017-11-14
发明(设计)人: 唐江;周英;罗家俊;宋怀兵 申请(专利权)人: 武汉光电工业技术研究院有限公司
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;C01B19/00;C01G29/00;C01G30/00
代理公司: 武汉帅丞知识产权代理有限公司42220 代理人: 朱必武
地址: 430075 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 无机 高分子 及其 通用 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种一维无机高分子,其特征在于:所述的一维无机高分子,由具有A4B6结构的最小重复单元组成,其中:A为Sb或Bi或二者的组合,B为O或S或Se中的任一种或S与Se的组合。

2.根据权利要求1所述的一维无机高分子,其特征在于:所述具有A4B6结构的最小重复单元的长度为0.265~0.5nm。

3.根据权利要求1所述的一维无机高分子,其特征在于:所述的一维无机高分子的直径为0.6~1.5nm,长度为300nm~2μm。

4.根据权利要求3所述的一维无机高分子,其特征在于:所述具有A4B6结构的最小重复单元的个数为700~8000。

5.一种根据权利要求1~4中任一项所述的一维无机高分子的制备方法,其特征在于:所述方法采用具有一维晶体结构的无机化合物的粉末、薄膜或颗粒为原料,使用液氮对所述原料进行插层处理后,加入分散剂,离心分层,取上层清液,最终制得所述一维无机高分子,所述具有一维晶体结构的无机化合物原料为锑基氧族化合物、铋基硫族化合物或它们的合金中的任一种。

6.根据权利要求5所述的一维无机高分子的制备方法,其特征在于:所述具有一维晶体结构的无机化合物原料为Sb2S3或Sb2Se3或Bi2S3或Sb2O3或者它们构成的合金(Bix,Sb2-x)(Sy,Se3-y)(x=0~2,y=0~3)。

7.根据权利要求5所述的一维无机高分子的制备方法,其特征在于:对所述原料进行液氮处理的次数为1~10次。

8.根据权利要求5所述的一维无机高分子的制备方法,其特征在于:所述原料还包括过量的碱金属氯化盐。

9.根据权利要求5所述的一维无机高分子的制备方法,其特征在于:在使用液氮对所述原料进行插层处理之前将原料进行超声分散和/或细胞粉碎处理。

10.根据权利要求5所述的一维无机高分子的制备方法,其特征在于:所述原料在利用液氮进行插层处理后将所述原料分散在去离子水中再次进行插层处理。

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