[发明专利]一种背结晶硅异质结太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种背结晶硅异质结太阳电池，其特征是其结构从迎光面开始依次为：迎光面栅线状电极、高透过率减反射薄膜、重掺杂晶硅背场层、硅片、本征非晶硅基薄膜钝化层、重掺杂非晶硅薄膜发射极、金属薄膜导电反射层、背面金属主栅线。

2.根据权利要求1所述的背结晶硅异质结太阳电池，其特征是其结构的各部分的材料构成从迎光面依次为：栅线状银电极、氮化硅薄膜钝化减反射层、重掺杂n型晶硅背场层、n型晶硅片、本征非晶硅或非晶亚氧化硅薄膜、重掺杂非晶硅或非晶亚氧化硅薄膜发射极、铝薄膜导电反射层、银或铜主栅线。

3.根据权利要求1所述的背结晶硅异质结太阳电池，其特征是所用硅片厚度为20-200微米。

4.根据权利要求1或3所述的背结晶硅异质结太阳电池，其特征是所用硅片厚度为80-180微米。

5.根据权利要求1所述的背结晶硅异质结太阳电池，其特征是在重掺杂非晶硅基薄膜与铝薄膜导电反射层间插入减少两层结构的接触电阻的薄膜。

6.根据权利要求1或5所述的背结晶硅异质结太阳电池，其特征是在重掺杂非晶硅基薄膜与铝薄膜导电反射层间插入一层1-100纳米的导电氧化物薄膜或钛/钯复合电极。

7.权利要求1所述的背结晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征是按以下步骤：硅片的制绒清洗，重掺杂晶硅背场层的制备，高透过率减反射薄膜的制备，迎光面栅线状电极制备；硅片的背光面再次清洗，本征非晶硅基薄膜钝化层的制备，重掺杂非晶硅薄膜发射极的制备，金属薄膜导电反射层制备、背面金属主栅线制备。

8.根据权利要求7所述的背结晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征是按权利要求2所述材料，按如下步骤：n型硅片的制绒清洗，采用CVD或PVD法在硅片的迎光面上沉积含磷氧化硅薄膜作为扩散源进行高温扩散制造重掺杂n型晶硅背场层，去除扩散源层并进行硅片清洗，PECVD法制造氮化硅薄膜钝化减反射层，丝网印刷高温银浆并烘干烧结得到迎光面栅线状银电极，硅片背光面的再次清洗，采用PECVD或热丝CVD法依次沉积本征非晶硅或非晶亚氧化硅薄膜、重掺杂非晶硅或非晶亚氧化硅薄膜发射极，采用PVD法沉积铝薄膜导电反射层，采用PVD法沉积纯银主栅线或丝网印刷低温银浆或者铜浆并烘干背面主栅线，对硅片边缘进行防漏电处理。

9.根据权利要求7或8所述的背结晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征是在硅片的制绒清洗后，在硅片的背光面预先沉积一层氧化硅保护膜，该层氧化硅保护膜在硅片的背光面再次清洗步骤中予以去除。