[发明专利]成像装置有效
| 申请号: | 201610310694.8 | 申请日: | 2016-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN107370969B | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
| 发明(设计)人: | 邵泽旭;熊志斌 | 申请(专利权)人: | 思特威(上海)电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378 |
| 代理公司: | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人: | 孟锐 |
| 地址: | 200131 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 成像 装置 | ||
1.一种成像装置,包括:
像素阵列,其包括排列成行和列的多个像素;其中,至少一个像素包括:
第一电容,其经配置以存储重置信号;以及
第二电容,其经配置以存储像素信号;
多个列电路,其中,至少一个列电路从第一电容读取重置信号,从第二电容读取像素信号,并产生重置信号与像素信号的差;
其中,所述像素经配置通过串联连接的一重置存储开关和一信号存储开关以在第一电容存储重置信号后在第二电容中存储像素信号;
其中所述像素进一步包括:
输出晶体管,其连接在像素的源极跟随晶体管和接地之间;
输出源极跟随晶体管,其连接在第一电容和第二电容的输出与行选择晶体管;
其中所述重置存储开关通过信号存储开关连接在源极跟随晶体管的输出与第一电容之间;
其中所述信号存储开关连接在源极跟随晶体管的输出与第二电容之间。
2.如权利要求1所述的装置,其中所述像素依次包括:第一间隔层、第一晶片、第二间隔层、和第二晶片;其中,所述第一晶片为PD晶片,所述第二晶片为电路晶片;所述第二间隔层设置在所述第二晶片上;所述第一晶片设置在所述第二间隔层上;所述第一间隔层设置在所述第一晶片上。
3.如权利要求2所述的装置,其中所述像素包括多个微透镜,其位于第一间隔层上。
4.如权利要求3所述的装置,其中第一晶片包括多个光电二极管;第二晶片包括所述像素的至少一部分电路。
5.如权利要求4所述的装置,其中第二晶片包括第一电容和第二电容。
6.如权利要求4所述的装置,其中第二间隔层中包括像素内连接结构,其将位于第一晶片中的至少一个光电二极管与位于第二晶片中的所述像素的至少一部分电路相互电连接。
7.如权利要求4所述的装置,其中第一间隔层包括多个滤镜,至少一个滤镜位于微透镜与光电二极管之间。
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