[发明专利]像素结构有效
| 申请号: | 201610308126.4 | 申请日: | 2016-05-11 |
| 公开(公告)号: | CN105762156B | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
| 发明(设计)人: | 吕思慧;苏志中;李明贤 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 结构 | ||
1.一种像素结构,包括:
第一像素单元,配置于一基板上,包括第一漏极与第一像素电极;
第二像素单元,配置于该基板上,包括第二漏极与第二像素电极;
第一绝缘层,覆盖该第一漏极与该第二漏极,其中该第一像素电极与该第二像素电极配置于第一绝缘层上,该第一绝缘层具有暴露该第一漏极的一第一接触窗开口与暴露该第二漏极的一第二接触窗开口;以及
共用电极,配置于该第一绝缘层上且与该第一像素电极与该第二像素电极电性绝缘,该共用电极具有一共用开口,于该基板的垂直投影上,该第一接触窗开口与该第二接触窗开口均落在该共用开口的范围内。
2.如权利要求1所述的像素结构,其中于该基板的垂直投影上该第一接触窗开口的边缘位于该第一漏极的边缘内。
3.如权利要求2所述的像素结构,还包括第二绝缘层与第一信号线,该第一漏极与该第二漏极配置于该第二绝缘层上且填入该第二绝缘层的一第三接触窗开口与一第四接触窗开口中,该第一信号线位于该第一像素单元与该第二像素单元之间。
4.如权利要求1所述的像素结构,其中在水平方向上,该第一接触窗开口的对称中心偏移于该第一漏极的对称中心,该第一接触窗开口的边缘位于该第一漏极的边缘内。
5.如权利要求4所述的像素结构,还包括第一信号线,该第一信号线位于该第一像素单元与该第二像素单元之间,其中该第一接触窗开口相对于该第一漏极朝该第一信号线靠近,该第二接触窗开口相对于该第二漏极朝该第一信号线靠近。
6.如权利要求1所述的像素结构,其中该第一接触窗开口暴露部分该第一漏极,且该第一接触窗开口暴露该第一漏极以外的区域。
7.如权利要求6所述的像素结构,还包括第二绝缘层与第一信号线,该第一信号线位于该第一像素单元与该第二像素单元之间,其中该第一接触窗开口相对于该第一漏极朝该第一信号线靠近,该第二接触窗开口相对于该第二漏极朝该第一信号线靠近,该第一接触窗开口与该第二接触窗开口暴露该第二绝缘层的部分顶部。
8.如权利要求1所述的像素结构,还包括第三绝缘层,配置于该第一绝缘层上且覆盖部分该共用电极,具有第五接触窗开口与第六接触窗开口,其中该第五接触窗开口连通该第一接触窗开口,该第六接触窗开口连通该第二接触窗开口。
9.如权利要求8所述的像素结构,其中该第一像素电极配置于该第三绝缘层上且经由该第五接触窗开口及该第一接触窗开口与该第一漏极电连接,该第二像素电极配置于该第三绝缘层上且经由该第六接触窗开口及该第二接触窗开口与该第二漏极电连接。
10.如权利要求1所述的像素结构,其中该第一像素单元还包括第一源极与第一通道层,该第一源极经由一第七接触窗开口与该第一通道层电连接。
11.如权利要求1所述的像素结构,还包括第三像素单元,具有第三漏极与第三像素电极,其中该第三像素单元配置于该第一像素单元与该第二像素单元之间。
12.如权利要求11所述的像素结构,其中该第一绝缘层还覆盖该第三漏极,该第三像素电极配置于第一绝缘层上,该第一绝缘层更具有暴露该第三漏极的一第八接触窗开口,于该基板的垂直投影上该第一接触窗开口、该第二接触窗开口以及该第八接触窗开口均落在该共用开口的范围内。
13.如权利要求12所述的像素结构,其中于该基板的垂直投影上该第一接触窗开口与该第一漏极部分重叠,该第二接触窗开口与该第二漏极部分重叠,且该第八接触窗开口的边缘位于该第三漏极的边缘内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610308126.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





