[发明专利]异质结光伏组件在审
申请号: | 201610302182.7 | 申请日: | 2016-05-09 |
公开(公告)号: | CN105762216A | 公开(公告)日: | 2016-07-13 |
发明(设计)人: | 杨乐;张闻斌;王琪 | 申请(专利权)人: | 苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司;协鑫集成科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/072 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 张凤 |
地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 异质结光伏 组件 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域,特别是涉及一种异质结光伏组件。
背景技术
异质结太阳能电池(HIT电池)是通过在掺杂非晶硅层与晶体硅衬底之间加入本征层所构建的。异质结太阳能电池既具有晶体硅太阳能电池的高效率和高稳定性,同时由于能耗小,工艺相对简单、温度特性更好,在高温下也能有较高的输出。近年来备受关注,已经成为太阳能电池的主要发展方向之一。
目前,异质结太阳能电池制作成异质结光伏组件,由于一般的异质结太阳能电池的本身的特性,紫外光很难进入到异质结太阳能电池中位于中部的PN结,从而使紫外光不能被有效利用,进而降低了异质结光伏组件的性能。
发明内容
基于此,有必要针对现有的异质结光伏组件不能有效利用紫外光的问题,提供一种可有效利用紫外光的异质结光伏组件。
一种异质结光伏组件,包括:
电池片层,由若干异质结太阳能电池片构成;
第一盖板,盖设于所述电池片层的一侧;
第一密封层,位于所述电池片层与所述第一盖板之间;
第二盖板,盖设于所述电池片层的另一侧;
以及第二密封层,位于所述电池片层与所述第二盖板之间;
所述第一盖板以及第二盖板中的至少一个为稀土离子与锂离子共掺杂玻璃;在所述稀土离子与锂离子共掺杂玻璃中,稀土氧化物的含量为0.5~3mol%,氧化锂的含量为0.5~3mol%。
上述异质结光伏组件,由于盖板采用稀土离子与锂离子共掺杂玻璃,且稀土氧化物的含量为0.5~3mol%,氧化锂的含量为0.5~3mol%;该共掺杂玻璃中稀土离子与锂离子共同作用,使稀土离子的上转换发光强度得到极大增强,有效将紫外光转化为可见光,与太阳光中原本的可见光一起进入异质结太阳能电池的发电层中,转化为电能。也就是说,含有该共掺杂玻璃的异质结光伏组件可以有效利用太阳光中的紫外光,将紫外光能转化为电能,进而提高电池的转换效率,增强发电量。另外,该玻璃制备方法简单、易于操作和控制,适于工业化大规模生产应用。
在其中一个实施例中,在所述稀土离子与锂离子共掺杂玻璃中,锂离子与稀土离子的摩尔比为0.5~4。
在其中一个实施例中,在所述稀土离子与锂离子共掺杂玻璃中,所述稀土氧化物的含量为2mol%。
在其中一个实施例中,所述稀土离子选自铕离子、钐离子、钆离子和铽离子中的一种或几种。
在其中一个实施例中,所述稀土离子与锂离子共掺杂玻璃中的基质玻璃包括二氧化硅、氧化钠、氧化钙、氧化镁、以及氧化铝。
在其中一个实施例中,所述基质玻璃的各组分含量如下:
在其中一个实施例中,所述第一盖板与所述第二盖板均为所述稀土离子与锂离子共掺杂玻璃。
在其中一个实施例中,所述第一盖板与所述第二盖板的厚度均为0.8~3mm。
在其中一个实施例中,所述第一密封层及第二密封层均为乙烯-醋酸乙烯共聚物层。
在其中一个实施例中,所述第一密封层及第二密封层的厚度均为0.2~0.8mm。
附图说明
图1为本发明一实施例的异质结光伏组件的分解结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合具体实施方式,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
需要说明的是,当元件被称为“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
参见图1,本发明一实施例的异质结光伏组件100,其包括电池片层110、盖设于电池片层110一侧的第一盖板121、盖设于电池片层110另一侧的第二盖板122、位于电池片层110与第一盖板121之间的第一密封层131、以及位于电池片层110与第二盖板122之间的第二密封层132。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的