[发明专利]一种倒装发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种倒装发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：

步骤1)，提供一生长衬底，于所述生长衬底上形成发光外延结构，并刻蚀出N电极台阶；

步骤2)，于所述发光外延结构表面形成ITO层，并于所述ITO层中形成图形孔洞结构；

步骤3)，于所述ITO层及图形孔洞结构内制作Ag反射层，使得所述Ag反射层同时与ITO层及发光外延结构接触，所述Ag反射层中定义有P焊盘区域；

步骤4)，于所述N电极台阶制作N焊盘，于所述P焊盘区域制作P焊盘。

2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管的制作方法，其特征在于：步骤2)中，还包括：

步骤a)，采用光刻-刻蚀工艺去除切割道区域的ITO层；

步骤b)，采用光刻-刻蚀工艺对切割道区域内裸露出的发光外延结构进行刻蚀，获得发光外延结构斜面侧壁。

3.根据权利要求2所述的倒装发光二极管的制作方法，其特征在于：步骤a)中，光刻-刻蚀工艺所采用的掩膜包括二氧化硅层及光刻胶层的叠层。

4.根据权利要求2所述的倒装发光二极管的制作方法，其特征在于：步骤b)中，对发光外延结构进行刻蚀的深度范围为6-8μm，所述斜面侧壁的宽度范围为1-4μm。

5.根据权利要求1所述的倒装发光二极管的制作方法，其特征在于：步骤2)中，所述图形孔洞结构的形状包括三角形、圆形、矩形、菱形、梯形及不规则图形中的一种或两种以上组合，所述图形孔洞结构包含的图形数量为1个或2个以上。

6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管的制作方法，其特征在于：步骤3)包括：

步骤3-1)，于所述ITO层表面形成光刻胶；

步骤3-2)，采用曝光的方法去除欲制备Ag反射层区域的光刻胶，保留包括P焊盘区域的光刻胶；

步骤3-3)，采用蒸镀或溅射工艺于Ag反射层区域及光刻胶表面形成Ag金属层；

步骤3-4)，采用金属剥离工艺去除光刻胶表面的Ag金属层，形成Ag反射层。

7.根据权利要求1所述的倒装发光二极管的制作方法，其特征在于：步骤4)之后还包括沉 积二氧化硅保护层的步骤。

8.一种倒装发光二极管，其特征在于，包括：

生长衬底；

发光外延结构，形成于所述生长衬底之上，所述发光外延结构中形成有N电极台阶；

ITO层，形成于所述发光外延结构表面，所述ITO层中形成有图形孔洞结构；

Ag反射层，形成所述ITO层及图形孔洞结构内，并同时与ITO层及发光外延结构接触，所述Ag反射层中定义有P焊盘区域；

N焊盘，形成于所述N电极台阶上；

P焊盘，形成于所述P焊盘区域上。

9.根据权利要求8所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述图形孔洞结构的形状包括三角形、圆形、矩形、菱形、梯形及不规则图形中的一种或两种以上组合，所述图形孔洞结构包含的图形数量为1个或2个以上。

10.根据权利要求8所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述发光外延结构具有斜面侧壁。

11.根据权利要求10所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述斜面侧壁的高度范围为6-8μm，宽度为1-4μm。

12.根据权利要求8所述的倒装发光二极管，其特征在于：还包括二氧化硅保护层，形成于所述倒装发光二极管表面。