[发明专利]一种QLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种QLED器件的制备方法，包括以下步骤：

提供一衬底，在所述衬底上形成底电极；

在所述底电极上沉积电子传输材料，对所述电子传输材料进行RTP处理，得到电子传输层；

在所述电子传输层上沉积界面修饰材料形成界面修饰层，且所述界面修饰材料为具有永久偶极矩的材料；

在所述界面修饰层上依次沉积量子点发光层和顶电极。

2.如权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述RTP处理的方法为：在5-10s内将温度升至退火温度，然后进行保温处理，且保温时间≤3min。

3.如权利要求2所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述保温处理的时间为20-30s。

4.如权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述电子传输材料为金属氧化物、掺杂金属氧化物、2-6族半导体材料、3-5族半导体材料、1-3-6族半导体材料中的一种。

5.如权利要求4所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物为氧化锌或氧化钛；和/或

所述掺杂金属氧化物中的金属氧化物为氧化锌或氧化钛，掺杂元素为铝、镁、铟、镓中的至少一种；和/或

所述2-6半导体族材料为ZnS、ZnSe或CdS；和/或

所述3-5半导体族材料为InP或GaP；和/或

所述1-3-6族半导体材料为CuInS或CuGaS。

6.如权利要求5所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述电子传输材料为纳米氧化锌。

7.如权利要求1-6任一所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述界面修饰材料为PFN、PEG、PEIE、CPE、PEO中的至少一种。

8.如权利要求1-6任一所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，在沉积所述顶电极之前，还包括沉积空穴传输层、空穴注入层的至少一层。

9.一种QLED器件，其特征在于，所述QLED器件按照权利要求1-7任一所述方法制备获得，包括依次设置的衬底、底电极、电子传输层、界面修饰层、量子点发光层和顶电极。

10.如权利要求9所述的QLED器件，其特征在于，还包括空穴注入层、空穴传输层中的至少一层。