[发明专利]一种减少铜膜厚度的方法有效

专利信息
申请号: 201610292045.X 申请日: 2016-05-05
公开(公告)号: CN107346731B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 金一诺;代迎伟;王坚;王晖 申请(专利权)人: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
主分类号: H01L21/321 分类号: H01L21/321;H01L21/02;H01L21/768
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 减少 厚度 方法
【权利要求书】:

1.一种减少铜膜厚度的方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)采用电化学镀铜工艺在晶圆表面镀上铜层;

(2)采用电化学抛光工艺将晶圆表面铜膜厚度减薄;

(3)使用柠檬酸去除晶圆表面氧化层,所述氧化层为氧化铜层。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,柠檬酸为1%-2%浓度的稀释柠檬酸。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤(3)后进一步包括:

(4)将晶圆输送至退火工艺腔进行退火工艺;

(5)采用化学机械平坦化工艺去除晶圆表面残留杂质。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在退火工艺完成后且在化学机械平坦化工艺前,该方法进一步包括:在退火腔内通入还原气体。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,还原气体为氢气和氮气的混合气体。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在进行电化学镀铜工艺后电化学抛光工艺前,清洗晶圆表面。

7.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在进行电化学抛光工艺后退火工艺前,清洗晶圆表面。

8.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在进行化学机械平坦化工艺后,清洗晶圆表面。

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