[发明专利]一种减少铜膜厚度的方法有效
申请号: | 201610292045.X | 申请日: | 2016-05-05 |
公开(公告)号: | CN107346731B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 金一诺;代迎伟;王坚;王晖 | 申请(专利权)人: | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/321 | 分类号: | H01L21/321;H01L21/02;H01L21/768 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 减少 厚度 方法 | ||
1.一种减少铜膜厚度的方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)采用电化学镀铜工艺在晶圆表面镀上铜层;
(2)采用电化学抛光工艺将晶圆表面铜膜厚度减薄;
(3)使用柠檬酸去除晶圆表面氧化层,所述氧化层为氧化铜层。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,柠檬酸为1%-2%浓度的稀释柠檬酸。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤(3)后进一步包括:
(4)将晶圆输送至退火工艺腔进行退火工艺;
(5)采用化学机械平坦化工艺去除晶圆表面残留杂质。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在退火工艺完成后且在化学机械平坦化工艺前,该方法进一步包括:在退火腔内通入还原气体。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,还原气体为氢气和氮气的混合气体。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在进行电化学镀铜工艺后电化学抛光工艺前,清洗晶圆表面。
7.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在进行电化学抛光工艺后退火工艺前,清洗晶圆表面。
8.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在进行化学机械平坦化工艺后,清洗晶圆表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造