[发明专利]硅基半导体晶体管的激光模拟辐射剂量率效应试验方法有效
| 申请号： | 201610288215.7 | 申请日： | 2016-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN105891694B | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 孙鹏;李沫;龙衡;陈飞良;李倩;代刚;张健 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | G01R31/265 | 分类号： | G01R31/265 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621900 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶体管 激光 模拟 辐射 剂量率 效应 试验 方法 | ||
【说明书】：
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