[发明专利]一种二极管的超薄型封装产品及其封装方法

权利要求书

1.一种二极管的超薄型封装产品，其特征在于：包括塑封体、芯片、铜料片、引脚一和引脚二，所述芯片和铜料片封装在所述塑封体内，所述引脚一、引脚二分别与铜料片连接并延伸到塑封体外，所述塑封体的横截面为等腰梯形，所述塑封体的高度为1.0-1.5mm，所述引脚一、引脚二为直线状并与塑封体的下表面在一条直线上。

2.根据权利要求1所述的一种二极管的超薄型封装产品，其特征在于：所述塑封体为环氧树脂黑胶材料，其导热系数约0.4-0.8。

3.根据权利要求1所述的一种二极管的超薄型封装产品，其特征在于：所述塑封体的高度为1.3mm，所述引脚一、引脚二的厚度为0.2mm，所述引脚一、引脚二的宽度为3mm。

4.根据权利要求1所述的一种二极管的超薄型封装产品，其特征在于：所述芯片与所述铜料片之间设有锡层，所述铜料片与所述引脚一或引脚二一体成型。

5.根据权利要求1所述的一种二极管的超薄型封装产品，其特征在于：所述铜料片包括上料片和下料片，所述上料片和下料片形状相同并相对贴在一起。

6.一种二极管的超薄型封装方法，其特征在于：

第一步，焊接：将铜料片、芯片以及锡层通过高温焊接，焊接过程中开启氮气保护，防止产品高温氧化造成焊接不良，影响产品品质；

第二步，模压：将环氧树脂黑胶包覆在已和铜料片焊锡好的芯片的周围，压模成塑封体，所述塑封体的横截面为等腰梯形，所述塑封体的高度为1.0-1.5mm；

第三步，镀锡：在引脚一、引脚二的部分镀上一层锡层；

第四步，切断:将引脚一、引脚二的弯曲部分切掉，使引脚一、引脚二与塑封体的下表面平齐。

7.根据权利要求6所述的一种二极管的超薄型封装方法，其特征在于：在第一步中，焊接峰值温度为340-350℃；氮气流量为10-20m³/h。

8.根据权利要求6所述的一种二极管的超薄型封装方法，其特征在于：在第二步中，模压的温度为160-180℃。