[发明专利]阵列基板、液晶显示面板及阵列基板制作方法

说明书

本发明涉及一种阵列基板、液晶显示面板及阵列基板制作方法，所述阵列基板包括依次层叠设置的基板、栅极、栅极绝缘层和有源层，所述有源层包括源极转接部和与所述源极转接部相隔离的漏极转接部，以及一体连接于所述源极转接部和所述漏极转接部的沟道。所述有源层包括源极转接部和与所述源极转接部相隔离的漏极转接部，以及一体连接于所述源极转接部和所述漏极转接部的沟道，从而源极转接保护和漏极转接部与沟道形成一体结构，即源极转接部和漏极转接部与沟道之间接触电阻减小，并且沟道的界面缺陷减少，从而使得液晶显示面板中薄膜晶体管经源极转接部和漏极转接部的开态电流增大且关态电流减小，即开关比提高，从而提高所述阵列基板的性能。

技术领域

本发明涉及显示屏领域，尤其涉及一种阵列基板、液晶显示面板及阵列基板制作方法。

背景技术

目前液晶显示面板中的源极和所述漏极与沟道的成型步骤是分开的，即首先对金属氧化物层在一定温度下进行退火处理形成沟道后，在将源极和漏极连接于金属氧化物层上，使得源极和漏极与金属氧化物接触后导通。然而，在此种处理办法下，由于源极和漏极与金属氧化物采用接触的方式进行连接，从而导致源极和漏极与金属氧化物层的接触电阻较大，使得接触特性较差，导致液晶显示面板中的薄膜晶体管经所述源极和所述漏极的开态电流(Ion)较小。同时，源极和漏极采用接触的方式连接于金属氧化物层还使得金属氧化物层界面缺陷较多，导致液晶显示面板中的薄膜晶体管经源极和漏极的关态电流(Ioff)较大，从而使得薄膜晶体管的开关比(Ion/Ioff)较小，严重影响了液晶显示面板中薄膜晶体管的性能，进而影响液晶显示面板的性能。

发明内容

本发明提供一种提高开关比的阵列基板、液晶显示面板及阵列基板制作方法。

本发明所提供的一种阵列基板，其中，所述阵列基板包括依次层叠设置的基板、栅极、栅极绝缘层和有源层，所述有源层包括源极转接部和与所述源极转接部相隔离的漏极转接部，以及一体连接于所述源极转接部和所述漏极转接部的沟道，所述源极转接部和所述漏极转接部采用第一预设温度下加工成型，所述沟道采用第二预设温度下加工成型，所述第一预设温度高于所述第二预设温度。

其中，所述阵列基板还包括阻挡层，所述阻挡层设有第一过孔和与所述第一过孔相隔离的第二过孔，以及位于所述第一过孔和所述第二过孔之间的遮光区，所述第一过孔和所述第二过孔分别曝露所述源极转接部和所述漏极转接部，所述遮光区遮盖所述沟道。

其中，所述阵列基板还包括设置在所述阻挡层上方的源极和漏极，所述源极穿过所述第一过孔与所述源极转接部连接，所述漏极穿过所述第二过孔与所述漏极转接部连接。

其中，所述基板包括塑胶层和层叠于所述塑胶层上的缓冲层，所述栅极层叠于所述缓冲层上与所述塑胶层相背。

其中，所述有源层采用氧化物半导体制成，位于其两端的所述源极转接部和所述漏极转接部通过激光晶化工序形成。

本发明还提供一种液晶显示面板，其中，所述液晶显示面板包括上述任意一项所述的阵列基板。

本发明还提供一种阵列基板制作方法，包括步骤：

在基板上依次成型出层叠的栅极、栅极绝缘层和金属氧化物层，所述金属氧化物层包括第一区域和与所述第一区域相隔离的第二区域，以及连接于所述第一区域和所述第二区域的第三区域；

对所述金属氧化物层进行加工，所述第一区域和所述第二区域在第一预设温度下分别形成源极转接部和漏极转接部，所述第三区域在第二预设温度下形成沟道。

其中，所述阵列基板制作方法还包括步骤：

在所述金属氧化物层上成型出阻挡层，所述阻挡层具有第一过孔和与所述第一过孔相隔离的第二过孔，以及位于所述第一过孔和所述第二过孔之间的遮光区，所述第一过孔和所述第二过孔分别曝露所述第一区域和所述第二区域，所述遮光区遮盖所述第三区域；