[发明专利]光接收器及其制作方法、内匹配电路在审
申请号: | 201610283761.1 | 申请日: | 2016-05-03 |
公开(公告)号: | CN107342819A | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 张龙才;何迟光;付敏;廖清华;陈建国;王晓忠 | 申请(专利权)人: | 珠海天启技术有限公司 |
主分类号: | H04B10/2575 | 分类号: | H04B10/2575;H04B10/60 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510000 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接收器 及其 制作方法 匹配 电路 | ||
1.一种基于内匹配的光接收器,包括:
晶体管座;
设置于所述晶体管座、用于将光信号转换为电信号的光转换单元;
分别设置于所述晶体管座、用于将所述光转换单元转换所得的电信号输出至外部的第一、二管脚;
设置于所述晶体管座、跨接于所述光转换单元的一输出端与所述第一管脚之间的第一电阻;以及
设置于所述晶体管座、跨接于所述光转换单元的另一输出端与所述晶体管座之间的第二电阻;
其中,所述第二管脚与所述光转换单元的与所述第二电阻电气连接的那一输出端电气连接。
2.根据权利要求1所述的基于内匹配的光接收器,还包括跨接于所述晶体管座和所述光转换单元的与所述第一电阻电气连接的那一输出端的电容。
3.根据权利要求1所述的基于内匹配的光接收器,其中,所述光转换单元为光电二极管。
4.根据权利要求1所述的基于内匹配的光接收器,其中,还包括用于将所述光转换单元与所述晶体管座隔离、绝缘的衬底。
5.根据权利要求1所述的基于内匹配的光接收器,其中,所述第一电阻为薄膜芯片电阻。
6.根据权利要求1所述的基于内匹配的光接收器,其中,所述第二电阻为薄膜芯片电阻。
7.根据权利要求2所述的基于内匹配的光接收器,其中,所述电容为平板电容,其一极贴于所述晶体管座并电气连接,其另一极远离该晶体管座。
8.根据权利要求7所述的基于内匹配的光接收器,其中,所述平板电容为单层陶瓷电容。
9.根据权利要求4所述的基于内匹配的光接收器,其中,所述衬底为陶瓷衬底。
10.一种基于内匹配的光接收器的制作方法,包括如下步骤:
第一步,将绝缘、隔离用的衬底贴于所述基于内匹配的光接收器的晶体管座;
第二步,贴电容于所述晶体管座表面上,使该电容的一极贴于该晶体管座并电气连接,其另一极远离该晶体管座;
第三步,贴第一电阻于所述电容表面上,贴第二电阻于所述晶体管座表面上并使该第二电阻的一端与该晶体管座电气连接;
第四步,贴光电二极管于所述衬底表面上;
第五步,分别将设置于所述晶体管座的第一管脚与所述第一电阻的一端、该第一电阻的另一端与该电容的远离该晶体管座的那极、所述光电二极管的正极与该电容的远离该晶体管座的那极、第二电阻的一端与该光电二极管的负极和设置于所述晶体管座的第二管脚及第二电阻的另一端与所述晶体管座电气连接。
11.根据权利要求10所述的基于内匹配的光接收器的制作方法,其中,所述第一电阻为薄膜芯片电阻。
12.根据权利要求10所述的基于内匹配的光接收器的制作方法,其中,所述第二电阻为薄膜芯片电阻。
13.根据权利要求12所述的基于内匹配的光接收器的制作方法,其中,所述电容为平板电容。
14.根据权利要求13所述的基于内匹配的光接收器的制作方法,其中,所述平板电容为单层陶瓷电容。
15.根据权利要求10所述的基于内匹配的光接收器的制作方法,其中,所述衬底为陶瓷衬底。
16.一种光接收器的内匹配电路,包括:
用于将光信号转换为电信号的光转换单元;
用于将所述光转换单元转换所得的电信号输出的第一、二端子;
跨接于所述光转换单元的一输出端与所述第一端子之间的第一电阻;以及
跨接于所述光转换单元的另一输出端与地之间的第二电阻;
其中,所述第二端子与所述光转换单元的与所述第二电阻电气连接的那一输出端电气连接。
17.根据权利要求16所述的内匹配电路,还包括跨接于地和所述光转换单元的与所述第一电阻电气连接的那一输出端的电容。
18.根据权利要求16所述的内匹配电路,其中,所述光转换单元为光电二极管。
19.根据权利要求16所述的内匹配电路,其中,所述第一电阻为薄膜芯片电阻。
20.根据权利要求16所述的内匹配电路,其中,所述第二电阻为薄膜芯片电阻。
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