[发明专利]光检测装置

权利要求书

1.一种光检测装置，其特征在于，

具备：

半导体光检测元件，具有：包含相互相对的第一和第二主面的半导体基板；多个雪崩光电二极管，以盖革模式动作并且形成在所述半导体基板内；以及第一电极，相对于各所述雪崩光电二极管电连接并且配置在所述半导体基板的所述第二主面侧；

搭载基板，其具有与所述半导体基板的所述第二主面相对的第三主面以及对应于每个所述第一电极而配置在所述第三主面侧的多个第二电极，并且与所述半导体光检测元件相对配置；以及

灭弧电路，其相对于各所述第二电极电连接，

所述第一电极与对应于该第一电极的所述第二电极经由凸点电极而电连接，

所述灭弧电路不配置于所述半导体基板上而是配置于所述搭载基板上，

通过使互相对应的所述第一电极和所述第二电极电连接，各个所述雪崩光电二极管与对应的所述灭弧电路串联连接。

2.如权利要求1所述的光检测装置，其特征在于，

各所述雪崩光电二极管包含：

第一导电型的所述半导体基板；

第二导电型的第一半导体区域，其形成在所述半导体基板的所述第一主面侧；

第二导电型的第二半导体区域，其形成在所述第一半导体区域内且杂质浓度比所述第一半导体区域高；以及

第三电极，其配置在所述半导体基板的所述第一主面侧且电连接于所述第二半导体区域，

在所述半导体基板，针对每个所述雪崩光电二极管而形成有从所述第一主面侧贯通至所述第二主面侧为止且将对应的所述第三电极与所述第一电极电连接的贯通电极。

3.如权利要求1所述的光检测装置，其特征在于，

各所述雪崩光电二极管具有：

第一导电型的所述半导体基板；

第二导电型的第一半导体区域，其形成在所述半导体基板的所述第二主面侧；以及

第一导电型的第二半导体区域，其与所述第一半导体区域构成PN结且杂质浓度比所述半导体基板高，

所述第一半导体区域与所述第一电极电连接。

4.如权利要求1至3中任一项所述的光检测装置，其特征在于,

所述搭载基板还包含并联地连接有所述灭弧电路的共用电极。

5.如权利要求1至3中任一项所述的光检测装置，其特征在于，

所述灭弧电路是无源灭弧电路或有源灭弧电路。

6.如权利要求4所述的光检测装置，其特征在于，

所述灭弧电路是无源灭弧电路或有源灭弧电路。