[发明专利]一种基于忆阻器的情景记忆电路及其操作方法

权利要求书

1.一种基于忆阻器的情景记忆电路，其特征在于，包括：依次连接的编码电路和检索电路；所述编码电路包括第一忆阻器M1、第二忆阻器M2、第三忆阻器M3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5；

所述第一忆阻器M1的一端作为所述编码电路的第一输入端(101)，所述第一忆阻器M1的另一端通过依次串联连接的所述第一电阻R1和所述第五电阻R5接地，所述第一忆阻器M1的另一端作为所述编码电路的第二输入端(102)；所述第二忆阻器M2的一端作为所述编码电路的第三输入端(103)，所述第二忆阻器M2的另一端作为所述编码电路的第四输入端(104)，所述第二忆阻器M2的另一端还连接至所述第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的另一端连接至所述第一电阻R1和所述第五电阻R5的串联连接端；所述第三忆阻器M3的一端作为所述编码电路的第五输入端(105)，所述第三忆阻器M3的另一端作为所述编码电路的第六输入端(106)，所述第三忆阻器M3的另一端还连接至所述第三电阻R3的一端，所述第三电阻R3的另一端连接至所述第一电阻R1和所述第五电阻R5的串联连接端；所述第四电阻R4的一端作为所述编码电路的第七输入端(107)，所述第四电阻R4的另一端连接至所述第一电阻R1和所述第五电阻R5的串联连接端；所述第一电阻R1和所述第五电阻R5的串联连接端作为所述编码电路的输出端(108)；

所述检索电路包括依次串联连接的忆阻器M和定值电阻R，所述定值电阻R和所述忆阻器M的非串联端作为所述检索电路的第一输入端(201)，所述忆阻器M的串联端作为所述检索电路的第二输入端(202)，所述忆阻器M的串联端还作为所述检索电路的输出端(203)；所述定值电阻R的另一端接地。

2.如权利要求1所述的情景记忆电路，其特征在于，所述第一忆阻器M1、所述第二忆阻器M2和所述第三忆阻器M3相同，且所述第一电阻R1的阻值、第二电阻R2的阻值、第三电阻R3的阻值和第五电阻R5的阻值分别等于所述第一忆阻器的低阻阻值，所述第四电阻R4的阻值等于所述第五电阻R5的阻值的一半；所述定值电阻的阻值等于所述第一忆阻器的低阻阻值。

3.如权利要求1或2所述的情景记忆电路，其特征在于，所述编码电路的第一输入端(101)和第二输入端(102)分别用于接收第一编码信号的事件刺激信号和环境刺激信号；

所述编码电路第三输入端(103)和第四输入端(104)分别用于接收第二编码信号的事件刺激信号和环境刺激信号；

所述编码电路第五输入端(105)和第六输入端(106)分别用于接收第三编码信号的事件刺激信号和环境刺激信号；

所述编码电路第七输入端(107)用于接收第四编码信号；

所述编码电路的输出端(108)用于输出情景记忆的记忆痕迹信号，并作为所述检索电路的输入信号；

其中所述第一编码信号、所述第二编码信号和所述第三编码信号分别作为情景记忆内容的事件、时间和地点三个元素信号，所述第四编码信号作为情景记忆的记忆内容，用于容纳记忆内容的扩充。

4.如权利要求2所述的情景记忆电路，其特征在于，所述第一忆阻器包括依次电连接的第一电极层(301)、功能材料层(302)和第二电极层(303)。

5.如权利要求4所述的情景记忆电路，其特征在于，所述功能材料层为氧化物功能材料层TiO_x、TaO_x、WO_x、CuO_x、AlO_x、NiO_x、HfO_x、ZrO_x、SiO_x、NbO_x、VO_x或GeO_x。

6.如权利要求4所述的情景记忆电路，其特征在于，所述功能材料层为硫系化合物功能材料层GeSe、Ag₂Se、Ag₂S、Cu₂S、GeS_x、Ge₂Sb₂Te₅、GeTe或AgInSbTe。