[发明专利]具有改善性能的LED器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造具有改善性能的LED器件的方法，包括下列步骤：

1)准备未做表面钝化处理的LED芯片；

2)在步骤1)所准备的LED芯片的表面沉积钝化层；

3)在所述钝化层上涂覆光刻胶，然后在所涂覆的光刻胶上制作纳米点阵；

4)将步骤3)所得的光刻胶作为掩膜，在所述钝化层刻蚀出纳米结构阵列，得到图形化的钝化层；

5)在所述图形化的钝化层上刻蚀出孔洞以露出LED芯片的P电极区域与N电极区域，在所刻蚀出的孔洞中沉积相应的电极金属。

2.根据权利要求1所述的制造具有改善性能的LED器件的方法，其特征在于，所述步骤1)中，所述未做表面钝化处理的LED芯片由下至上依次包括：外延生长的衬底、N型区、有源区、P型区和透明导电层。

3.根据权利要求1所述的制造具有改善性能的LED器件的方法，其特征在于，所述步骤2)中，所述钝化层的材质为SiO₂、SiN_x或者SiON_x。

4.根据权利要求3所述的制造具有改善性能的LED器件的方法，其特征在于，所述步骤2)中，采用等离子体增强化学气相沉积技术在LED芯片的表面沉积钝化层，并且在沉积钝化层时使所述钝化层覆盖所述LED芯片的侧壁；所述钝化层厚度在250nm～600nm范围内。

5.根据权利要求4所述的制造具有改善性能的LED器件的方法，其特征在于，所述步骤3)中，在光刻胶上制作的纳米点阵为光刻胶纳米周期点阵。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的制造具有改善性能的LED器件的方法，其特征在于，所述步骤4)中，所述纳米结构阵列为截角锥形貌的纳米结构阵列。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的制造具有改善性能的LED器件的方法，其特征在于，所述步骤4)中，所述纳米结构阵列为柱状纳米结构阵列。

8.根据权利要求1～4中任一项所述的制造具有改善性能的LED器件的方法，其特征在于，所述步骤5)中，结合光刻技术与干法刻蚀技术在所述图形化的钝化层上刻蚀所述孔洞。

9.一种LED器件，包括：

LED芯片；和

图形化的钝化层，所述图形化的钝化层被制作在所述LED芯片的表面上，并具有纳米结构阵列。

10.根据权利要求9所述的LED器件，其特征在于，所述钝化层的材质为SiO₂、SiN_x或者SiON_x；所述纳米结构阵列为截角锥形貌的纳米结构阵列或者柱状纳米结构阵列。