[发明专利]GaN基LED外延结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201610272687.3 | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN105789392A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 陈立人;冯猛 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan led 外延 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种GaN基LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构依次包括：
衬底；
位于所述衬底上的缓冲层；
位于所述缓冲层上的u-GaN层；
位于所述u-GaN层上的n型GaN层；
位于所述n型GaN层上的多量子阱发光层；
位于所述多量子阱发光层上的电子阻挡层；
位于所述电子阻挡层上的超晶格透光扩展层，所述超晶格透光扩展层包括若干周期堆叠的AlxInyGa1-x-yN势阱层和AlwInzGa1-w-zN势垒层，其中，AlxInyGa1-x-yN势阱层中x取值范围为0≤x≤0.5，y取值范围为0≤y≤0.1，AlwInzGa1-w-zN势垒层中w取值范围为0＜w≤0.5，z取值范围为0＜z≤0.1；
位于所述超晶格透光扩展层上的p型GaN层。
2.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述超晶格透光扩展层包括6~20个周期堆叠的AlxInyGa1-x-yN势阱层和AlwInzGa1-w-zN势垒层。
3.根据权利要求2所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述超晶格透光扩展层中，AlxInyGa1-x-yN势阱层的厚度为0.1~2nm，AlwInzGa1-w-zN势垒层的厚度为1~5nm。
4.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述AlxInyGa1-x-yN势阱层为非掺杂、p型掺杂或局部区域p型掺杂。
5.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述AlwInzGa1-w-zN势垒层为非掺杂、p型掺杂或局部区域p型掺杂。
6.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述多量子阱发光层包括若干周期堆叠的InGaN量子阱层和AlInGaN量子垒层，其中AlInGaN量子垒层中的Al组分为0~0.2，In组分为0~0.3。
7.根据权利要求6所述的GaN基LED外延结构，其特征在于，所述多量子阱发光层包括6~10个周期堆叠的InGaN量子阱层和AlInGaN量子垒层，InGaN量子阱层的厚度为2~4nm，AlInGaN量子垒层的厚度为6~12nm。
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