[发明专利]磷酸二氢钾类晶体的表面抛光方法

权利要求书

1.磷酸二氢钾类晶体的表面抛光方法，其特征在于：

由以下步骤实现：

步骤一、在磷酸二氢钾类晶体样品表面旋涂一层平坦化层，经过平坦化技术处理后，样品的表面粗糙度低于1.5nm；

步骤二、将平坦化处理后的磷酸二氢钾类晶体样品放置在真空热处理炉中，真空压强低于1Pa，热处理时间1-5小时，热处理温度低于80℃，热处理结束后在真空室中自然冷却至室温，取出磷酸二氢钾类晶体样品；

步骤三、将磷酸二氢钾类晶体样品固定在离子束刻蚀系统的夹具上，调整夹具与离子束入射之间的角度，范围为30°到60°；

步骤四、利用真空系统将真空室压强抽到低于5×10^-4Pa的真空度，按比例通入刻蚀、反应的工作气体，包括氩气和氧气，其氧氩比范围为0:13.2到6:7.2，气体流量总量13.2sccm，调节真空控制阀，使真空室压强保持在2×10^-2Pa到8×10^-2Pa；

步骤五、调节夹具的自转速度，控制在5r/min到30r/min范围内，使磷酸二氢钾类晶体样品与夹具一同自转，以消除离子束的不均匀性；

步骤六、调节离子源放电工艺参数，使离子束对平坦化层和磷酸二氢钾类晶体材料具有相同的刻蚀速率；

步骤七、打开磷酸二氢钾类晶体样品挡板，使离子束对其进行刻蚀抛光，直至完全去除平坦化层，将平坦化层的超光滑表面转移到磷酸二氢钾类晶体上；

步骤八：等待2小时，待样品温度降至室温时，取出样品。

2.根据权利要求1所述的磷酸二氢钾类晶体的表面抛光方法，其特征在于：

步骤一采用PC3-1500胶作为平坦化层。

3.根据权利要求1所述的磷酸二氢钾类晶体的表面抛光方法，其特征在于：

步骤六中，离子源放电工艺参数为：离子能量200eV到800eV、离子束束流10mA到50mA。