[发明专利]反射式单级衍射光栅及其制造方法在审
| 申请号： | 201610266673.0 | 申请日： | 2016-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN107315211A | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 朱效立;谢常青;刘明;牛洁斌;华一磊;施百龄 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反射 式单级 衍射 光栅 及其 制造 方法 | ||
1.一种反射式单级衍射光栅，其特征在于，基底上随机分布光栅图形，所述光栅图形为由两层材料组成的深槽结构，所述深槽结构的下层材料为硅基底，上层材料为高反射率膜层，所述深槽结构的深度和宽度之比值大于0.5。
2.根据权利要求1所述的反射式单级衍射光栅，其特征在于，所述基底的厚度在10mm以上，所述基底由标准硅基底与体硅基底键合在一起构成。
3.根据权利要求2所述的反射式单级衍射光栅，其特征在于，所述基底的表面粗糙度小于0.5nm。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的反射式单级衍射光栅，其特征在于，所述高反射率膜层为金、Cr或者周期性反射膜。
5.根据权利要求4所述的反射式单级衍射光栅，其特征在于，所述反射式单级衍射光栅的工作波长为1nm-100nm。
6.一种反射式单级衍射光栅的制造方法，其特征在于，包括：
在标准硅基底上进行电子束光刻，形成随机分布的光刻胶图形；
利用等离子体刻蚀将所述光刻胶图形转移为硅深槽型刻蚀结构，形成硅光栅图形；
利用低温金金键合技术，将标准硅基底与体硅基底键合在一起；
在硅光栅图形表面溅射高反射率膜层，形成的深槽结构的深度和宽度之比值大于0.5。
7.根据权利要求6所述的反射式单级衍射光栅的制造方法，其特征在于，所述由标准硅基底与体硅基底键合在一起构成的基底的厚度在10mm以上。
8.根据权利要求7所述的反射式单级衍射光栅的制造方法，其特征在于，所述基底的表面粗糙度小于0.5nm。
9.根据权利要求6-8中任一项所述的反射式单级衍射光栅的制造方法，其 特征在于，所述高反射率膜层为金、Cr或者周期性反射膜。
10.根据权利要求9所述的反射式单级衍射光栅的制造方法，其特征在于，所述反射式单级衍射光栅的工作波长为1nm-100nm。
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