[发明专利]一种半导体处理装置

权利要求书

1.一种半导体处理装置，包括反应腔、下电极、射频电源和阻抗匹配器，所述射频电源通过所述阻抗匹配器连接至位于所述反应腔内的所述下电极，其特征在于，还包括相位调节元件，所述相位调节元件串联于所述射频电源和所述阻抗匹配器之间，用于调节所述阻抗匹配器的输入阻抗，使其与所述射频电源的输出阻抗匹配，且所述相位调节元件的特征阻抗等于所述射频电源的输出阻抗；其中，

所述相位调节元件的增益幅值为1，增益相位可调。

2.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述相位调节元件的特征阻抗为50欧姆，所述相位调节元件的相位调节范围为0-360度。

3.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述相位调节元件包括一个电感和一个电容，所述电感和所述电容并联连接。

4.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述相位调节元件包括相同数量的多个电感和多个电容，其中，一个所述电感对应与一个所述电容并联连接形成一组电感电容组合，并联连接的多组所述电感电容组合相串联连接。

5.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述相位调节元件包括数量相同的至少一个电感和至少一个电容，所述电感和所述电容串联连接。

6.根据权利要求3-5任意一项所述的半导体处理装置，其特征在于，所述电感的大小为100nH-5uH，所述电容的大小为40pF-2000pF。

7.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述相位调节元件包括一个电阻和一个电容，所述电阻和所述电容并联连接。

8.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述相位调节元件包括相同数量的多个电阻和多个电容，其中，一个所述电阻对应与一个所述电容并联连接形成一组电阻电容组合，并联连接的多组所述电阻电容组合相串联连接。

9.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述相位调节元件包括数量相同的至少一个电阻和至少一个电容，所述电阻和所述电容串联连接。

10.根据权利要求2所述的半导体处理装置，其特征在于，所述相位调节元件采用同轴电缆。

11.根据权利要求10所述的半导体处理装置，其特征在于，所述同轴电缆的长度与所述同轴电缆的调节相位之间的关系为：长度＝2π/调节相位。

12.根据权利要求1所述的半导体处理装置，其特征在于，所述半导体处理装置为物理气相沉积装置。