[发明专利]一种可替换芯片的传导冷却型半导体激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种可替换芯片的传导冷却型半导体激光器，其特征在于：包括激光芯片、导电衬底、绝缘衬底和导电连接片；

所述激光芯片键合于对应的导电衬底上，形成一个芯片单元;

所述的绝缘衬底上设置有用于安装芯片单元的安装槽，芯片单元的导电衬底通过焊料键合于绝缘衬底上与其对应的安装槽内;

所述导电连接片设置于相邻的芯片单元之间，用于相邻芯片单元的电连接，导电连接片一端键合于芯片单元的激光芯片上，另一端键合于上述芯片单元相邻的安装槽内的焊料中，使得导电连接片与相邻安装槽内的导电衬底无直接接触。

2.根据权利要求1所述的一种可替换芯片的传导冷却型半导体激光器，其特征在于：所述的绝缘衬底上的安装槽与芯片单元一一对应。

3.根据权利要求1所述的一种可替换芯片的传导冷却型半导体激光器，其特征在于：所述的绝缘衬底上的安装槽间隔均匀，使多个芯片单元之间有均匀的间隔。

4.根据权利要求1-3之一所述的一种可替换芯片的传导冷却型半导体激光器，其特征在于：所述绝缘衬底呈弧形或者环形，使得激光芯片发出的激光有共同的汇聚点。

5.根据权利要求1所述的一种可替换芯片的传导冷却型半导体激光器，其特征在于：所述的相邻芯片单元的电连接方式为串联连接。

6.根据权利要求1所述的一种可替换芯片的传导冷却型半导体激光器，其特征在于：所述激光芯片为单发光点激光芯片，或者多发光点激光芯片，或者微型巴条。

7.根据权利要求1所述的一种可替换芯片的传导冷却型半导体激光器，其特征在于：所述导电衬底为铜，铜钨，或者铜金刚石。

8.根据权利要求1所述的一种可替换芯片的传导冷却型半导体激光器，其特征在于：所述绝缘衬底下方设置液体制冷型的散热器。

9.根据权利要求1或者2所述的一种可替换芯片的传导冷却型半导体激光器，其特征在于：所述绝缘衬底为氮化铝陶瓷，或者氧化铝陶瓷，或者氧化铍陶瓷、或者金刚石。

10.权利要求1所述可替换芯片的传导冷却型半导体激光器的制备方法包括以下步骤：

1）将激光芯片键合于导电衬底上，形成一个芯片单元；

2）将多个上述芯片单元的导电衬底通过焊料安装于绝缘衬底上的安装槽内；

3）将多个导电连接片安装于相邻的芯片单元之间，实现电连接，具体的安装方式为：导电连接片一端键合于激光芯片，另一端键合于相邻芯片单元安装槽内的焊料中。