[发明专利]电子设备及其制造方法

权利要求书

1.一种包括半导体存储器的电子设备，其中，所述半导体存储器包括：

沟槽，其形成在衬底内；

栅电介质层，其形成在沟槽的表面之上；

栅电极，其形成在栅电介质层之上，间隙填充沟槽的一部分，并且包含掺杂剂；

扩散区，其形成为与沟槽的表面接触，并且在衬底内与栅电极相对应；

结区，其形成在衬底内、沟槽的两侧；以及

存储元件，其在沟槽的一侧与结区耦接,

扩散区包括与包含在栅电极中的掺杂剂相同材料的掺杂剂。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，扩散区包括通过包含在栅电极中的掺杂剂扩散入衬底内的扩散的掺杂剂。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其中，栅电极包括掺杂有含硼的掺杂剂的钨。

4.根据权利要求3所述的电子设备，其中，扩散区包括硼。

5.根据权利要求1所述的电子设备，还包括：

扩散阻挡层，其插置在栅电介质层与栅电极之间。

6.根据权利要求5所述的电子设备，其中，扩散阻挡层具有柱状结构。

7.根据权利要求5所述的电子设备，其中，扩散阻挡层包括氮化钛层或者氮化钨层。

8.根据权利要求1所述的电子设备，其中，结区包括在水平方向上与栅电极的一部分重叠的部分，以及

其中，扩散区包括形成在栅电极与结区之间的第一区、以及除了第一区之外的第二区。

9.根据权利要求8所述的电子设备，其中，第一区和第二区的导电类型彼此相同，并且第二区的掺杂浓度比第一区的掺杂浓度大。

10.根据权利要求8所述的电子设备，其中，第一区和第二区的导电类型彼此不同，并且第一区和结区的导电类型彼此相同。

11.根据权利要求10所述的电子设备，其中，第一区的掺杂浓度比结区的掺杂浓度小。

12.根据权利要求1所述的电子设备，其中，存储元件包括可变电阻元件，可变电阻元件响应于施加至其上的电压或电流而在不同的电阻状态之间切换。

13.根据权利要求12所述的电子设备，其中，可变电阻元件包括磁隧道结，其中，隧道阻障插置在两个磁性材料之间。

14.根据权利要求12所述的电子设备，其中，可变电阻元件包括：金属氧化物材料、相变材料或者铁电材料。

15.根据权利要求1所述的电子设备，还包括微处理器，所述微处理器包括：

控制元件，其被配置成从微处理器的外部接收包括命令的信号，并且执行命令的提取、解码、或者控制微处理器的信号的输入或输出；

操作单元，其被配置成基于控制单元将命令解码的结果而执行运算；以及

存储单元，其配置成存储用于执行运算的数据、与执行运算的结果相对应的数据、或者执行运算的数据的地址，

其中，半导体存储器是微处理器中的存储单元的部件。

16.根据权利要求1所述的电子设备，还包括处理器，所述处理器包括：

核心单元，其被配置成通过利用数据，基于从处理器的外部输入的命令，执行与命令相对应的操作；

高速缓冲存储单元，其被配置成存储用于执行运算的数据、与执行运算的结果相对应的数据、或者执行运算的数据的地址；以及

总线接口，其连接在核心单元与高速缓冲存储单元之间，并且被配置成在核心单元与高速缓冲存储单元之间传送数据，

其中，半导体存储器为处理器中的高速缓冲存储单元的部件。