[发明专利]栅介电层的制造方法有效
| 申请号： | 201610260598.7 | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107305842B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 黄同隽;蔡世鸿;冯立伟;郑志祥 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅介电层 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种栅介电层的制造方法，其特征在于，包括：
提供氧化物层；
在N2O的环境中，对所述氧化物层进行第一回火制作工艺，所述第一回火制作工艺的温度为900℃至1050℃，且所述第一回火制作工艺的时间为5秒至30秒，通过所述第一回火制作工艺在所述氧化物层上形成保护层；以及
在进行所述第一回火制作工艺之后，在NH3的环境中，对所述氧化物层进行第二回火制作工艺，通过所述第二回火制作工艺对所述氧化物层进行氮化处理，以在所述氧化物层中靠近所述保护层处形成氮化部分。
2.根据权利要求1所述的栅介电层的制造方法，其特征在于，所述氧化物层的材料包括氧化硅。
3.根据权利要求1所述的栅介电层的制造方法，其特征在于，所述氧化物层的形成方法包括热氧化法、化学气相沉积法、原子层沉积法或临场蒸气产生法。
4.根据权利要求1所述的栅介电层的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料包括氮氧化硅。
5.根据权利要求1所述的栅介电层的制造方法，其特征在于，所述第二回火制作工艺的温度为800℃至950℃。
6.根据权利要求1所述的栅介电层的制造方法，其特征在于，所述第二回火制作工艺的时间为20秒至60秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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