[发明专利]一种石斛栽培基质及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610257334.6 申请日: 2016-04-25
公开(公告)号: CN105766591A 公开(公告)日: 2016-07-20
发明(设计)人: 王自宇 申请(专利权)人: 广西智宝科技有限公司
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00
代理公司: 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 代理人: 但玉梅
地址: 537899 广西壮族自*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 一种 石斛 栽培 基质 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于种植技术领域,具体涉及一种石斛栽培基质及其制备方法。

背景技术

石斛,兰科植物之一,主要分布于亚洲热带和亚热带,澳大利亚和太平洋岛屿,我国大 部分分布于西南、华南、台湾等地。石斛兰的主要品种有金钗石斛、密花石斛、鼓槌石斛等。 可入药,名为石斛,对人体有驱解虚热,益精强阴等疗效。随着花卉产业的兴起,石斛兰也 成为了一种观赏植物。石斛兰的栽培方式一般为盆栽。由于石斛兰具有秉性刚强、祥和可亲 的气质,被誉为父亲之花。石斛兰的植株由肉茎构成,粗如中指,叶如竹叶花葶从叶腋抽出, 每葶有花七八朵,每花6瓣,四面散开,花瓣边均为紫色,瓣心为白色。石斛属植物为附生 植物,生境独特,对小气候环境要求十分严格。多生于温凉高湿的阴坡、半阴坡微酸性岩层 峭壁上,群聚分布,上有林木侧方遮阴,下有溪沟水源,冬春季节稍耐干旱,但严重缺水时 常叶片落尽,裸茎渡过不良环境,到温暖季节重新萌发枝叶。常与地衣、苔藓植物以及抱石 莲、伏石蕨、卷柏、石豆兰等混生。目前,人工种植石斛用的种植基质主要有树皮、木屑、 水苔、泥炭土、河沙,其中最适合生长的基质为水苔、树皮和木屑。水苔藓,可以经过简单 的洗涤与杀菌后即可使用,但是其价格比较高,因此导致种植生产的成本增高,让多数种植 户不能接受,木屑与水苔相比在价格上具有明显优势,但木屑在使用之前需要经过发酵处理, 且在种植过程中容易腐烂,需要更换。目前,人工栽培石斛普遍多采用遮阴大棚,大棚内搭 建平面苗床进行栽培。苗床一般采用钢结构、木结构或砖石结构的支架式苗床,在农业生产 中,建设这类苗床的成本过高,而且易损坏,跟换或维护困难,且成活率较低,给石斛的人 工栽培带来很多的困难。为此,经本发明潜心研究,开发出一种更加适合石斛生长的培养基, 实验证明,效果良好。

发明内容

本发明的目的是提供一种石斛栽培基质及其制备方法,制备方法简单易懂,且本发明制 备的种植基质克服了基质长期使用腐烂不透气,不保水,需要更换,且成本低,营养全;基 质还巧妙地通过三层叠加的方式,有针对性的对每个生长期间的提供合理的肥力,更有利于 铁皮石斛的生长,促使铁皮石斛茎干长得更加粗壮,根系更发达;使用木霉菌剂添加到基质 中能够抑制基质致病微生物,且配合多灵菌共同使用,提高了抑菌率。

为了实现上述目的,本发明是通过以下技术方案来实现的:

一种石斛栽培基质,包括由下至上依次叠加设置的基础层、缓冲层和基质层;按照重量 份数比计,所述基础层为干小麦秸秆15-20份和/或干甘蔗叶15-20份;

所述缓冲层为蚕沙5-10份、腐叶土10-20份、松球10-15份、水冬瓜树皮10-15份、糟 糠8-15份和木霉菌剂1-2份的混合物;

所述基质层为改性生物炭15-25份、朽木15-45份、膨胀珍珠岩5-15份、松树皮10-35 份、花生壳5-15份、蜜桔落花5-15份、陶粒10-20份和木霉菌剂1-2份的混合物;

所述基础层的厚度为2-5cm,所述缓冲层的厚度为2-3cm,所述基质层的厚度为2-5cm;

所述改性生物炭是按照重量份数比计,将互花米草30-50份、膨胀珍珠岩粉2-5份和瓜 子石粉2-5份混合得到混合物后,用超声波照射3-5min,然后用红外线照射15-30s,最后于 300℃-500℃条件下进行煅烧后即可得到改性生物炭。

在本发明在,作为进一步说明,所述改性生物炭进行煅烧的过程中采用厌氧加氮的方式 进行。

在本发明在,作为进一步说明,所述煅烧的时间为5-8S。

在本发明在,作为进一步说明,所述超声波的波长为200nm-250nm。

在本发明在,作为进一步说明,所述朽木为半腐蚀番石榴树枝、半腐蚀柑橘树枝、半腐 蚀琵琶树树枝和半腐蚀柚子树枝中的两种以上的混合物。

在本发明在,作为进一步说明,所述木霉菌剂为有绿色木霉菌剂或康宁木霉菌剂。

如上所述的一种石斛栽培基质的制备方法,具体步骤如下:

(1)将基础层干小麦秸秆和/或干甘蔗叶截成2-3cm长,然后使用质量浓度为10-20%的 石灰水进行消毒后,平铺于培养架底部;

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