[发明专利]一种浸没式光刻系统和浸没流场维持方法有效
申请号: | 201610255529.7 | 申请日: | 2016-04-22 |
公开(公告)号: | CN107305318B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 丛国栋;郑清泉;吴立伟 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 浸没 光刻 系统 维持 方法 | ||
1.一种浸没式光刻系统,从上至下依次包括
一投影物镜;
一工作台,工作台上放置有硅片;
一浸没头,设置在所述投影物镜和所述硅片之间,在所述浸没头、投影物镜及硅片之间填充有浸没液;
其特征在于,所述浸没头中设置有浸没液固化装置,在所述硅片曝光时将曝光场边缘及以外的浸没液固化;在所述硅片曝光完成后,所述浸没液固化装置固化所述硅片上表面与所述浸没头之间的浸没液。
2.如权利要求1所述的浸没式光刻系统,其特征在于,所述浸没头围绕所述浸没液形成圆环柱状,所述投影物镜与所述浸没头的内侧相对应。
3.如权利要求1所述的浸没式光刻系统,其特征在于,所述浸没液为磁流体。
4.如权利要求3所述的浸没式光刻系统,其特征在于,所述浸没液固化装置包括第一电磁线圈,所述第一电磁线圈位于所述浸没头与硅片相对的一侧上,且周向分布于所述浸没液边缘,在所述硅片曝光时,所述第一电磁线圈通电后将浸没液边缘固化。
5.如权利要求4所述的浸没式光刻系统,其特征在于,所述浸没液固化装置还包括第二电磁线圈,所述第二电磁线圈周向设于所述浸没头的内侧,在所述硅片曝光完成后,结合所述第一电磁线圈将所述硅片上表面与所述浸没头之间的浸没液固化。
6.如权利要求5所述的浸没式光刻系统,其特征在于,所述第一电磁线圈和所述第二电磁线圈同轴设置,围绕所述浸没液形成圆环状。
7.如权利要求1所述的浸没式光刻系统,其特征在于,所述浸没头上还设置有浸没液供给口和浸没液抽取口,为浸没头提供流动的浸没液。
8.一种浸没流场维持方法,其特征在于,采用如权利要求1-7中任一项所述的浸没式光刻系统,包括如下步骤:
步骤S1:在投影物镜和硅片之间设置浸没头,并在所述浸没头、投影物镜及硅片之间填充浸没液,所述浸没头中设有浸没液固化装置;
步骤S2:在曝光过程中,所述浸没液固化装置将浸没头与所述硅片之间的浸没液固化,在曝光场边缘及以外形成密封墙;
步骤S3:在曝光完成后,所述浸没液固化装置将所述硅片上表面与所述浸没头之间的浸没液固化,之后撤离硅片。
9.如权利要求8所述的浸没流场维持方法,其特征在于,步骤S3中所述浸没液固化装置将所有所述浸没液固化。
10.如权利要求8所述的浸没流场维持方法,其特征在于,所述浸没液为磁流体。
11.如权利要求10所述的浸没流场维持方法,其特征在于,所述浸没液固化装置包括第一电磁线圈,所述第一电磁线圈位于所述浸没头与硅片相对的一侧上,且周向分布于所述浸没液边缘,在所述硅片曝光时,所述第一电磁线圈通电后将浸没液边缘固化。
12.如权利要求11所述的浸没流场维持方法,其特征在于,所述浸没液固化装置还包括第二电磁线圈,所述第二电磁线圈周向设于所述浸没头的内侧,在所述硅片曝光完成后,结合所述第一电磁线圈将所述硅片上表面与所述浸没头之间的浸没液固化。
13.如权利要求12所述的浸没流场维持方法,其特征在于,所述第二电磁线圈通过增大电流量,结合所述第一电磁线圈将所述硅片上表面的所有浸没液固化。
14.如权利要求8所述的浸没流场维持方法,其特征在于,所述浸没头上设置有浸没液供给口和浸没液抽取口,在步骤S2中,通过所述浸没液抽取口抽取浸没液,通过所述浸没液供给口供给浸没液,保持所述浸没液处于流动状态。
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