[发明专利]一种基于RGA的工艺过程控制方法及工艺过程控制系统

说明书

本发明实施例提供了一种基于RGA的工艺过程控制方法及工艺过程控制系统，所述系统至少包括机台Tool、残余气体分析仪RGA的传感器RGA SENSOR、RGA的控制器Sensor Controller、工厂主机Fab Host；其中，所述RGA SENSOR安装在所述Tool的指定腔室内，所述Tool通过第一通信接口与所述Sensor Controller进行通信，用于将所述Tool的机台信息发送至所述Sensor Controller中；所述Tool通过第二通信接口与所述Fab Host进行通信，所述Sensor Controller通过第三通信接口与所述Fab Host进行通信。本发明实施例可以使得Sensor Controller可以直接从Tool中获得机台信息，方便用户在Sensor Controller中依据机台信息查找相关的信息，提高便捷性，提升系统的实用性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种基于RGA的工艺过程控制系统和一种基于RGA的工艺过程控制方法。

背景技术

随着信息技术的发展，在半导体领域中，未来趋势已逐渐走向12寸晶圆，但随着晶圆成本不断提高，因意外或异常现象造成的生产损失也相对的随之提高。

在现有技术中，机台Tool一般使用物理气相沉积法(Physical VaporDeposition，简称PVD)来沉积金属层(Al，Cr或Cu)或阻挡层(TiN)，其对一般水气或氧气污染的要求极高，微量带氧污染物即可能形成金属氧化物，从而影响金属层的电阻率。一般基本真空度在10e-8Torr左右，此时对制程有严重影响的污染物譬如不纯的气体来源、更换靶材或Shield之逸气、外漏的流量计或接头、晶圆本身之逸气等等，很有可能进入真空腔从而造成损失。

残余气体分析仪(RGA)可以被使用在1～10mTorr的制程压力下对所有污染物作线上同步侦控，在每片晶圆成本不断提高的趋势下，对主要制程的同步侦控不但可以大幅减少意外损失，更能快速确认影响真空的问题所在，因此，RGA近年来已被广泛使用为线上同步侦控的仪器。

在现有技术中，Tool与RGA及工厂主机Fab Host相连并相互通信，Fab Host与Tool之间通过SECS接口(Semiconductor Equipment Communication Standard，半导体标准通信接口)进行通信，实现Fab Host生产指令的下达、Tool端Wafer(硅片)工艺数据的收集等功能。RGA的传感器RGASensor物理接入Tool的腔室内部，它实时采集的Data经由RGA的控制器Sensor Controller分析计算后，通过SECS发送给Fab Host。

这种方式的实现相对简单，但Sensor Controller不会有机台的资料，如当前正在进行工艺的wafer的Lot ID(批次标识)/Slot ID(槽位标识)/Recipe(工艺标识)...，这些资料须由Fab Host后续处理再跟Sensor Controller发送的Data结合。

在相关技术中，参考图1，示出了一种现有的Tool、RGA和Fab Host通信的拓扑结构示意图。其中Fab Host与Tool之间通过SECS(Semiconductor Equipment CommunicationStandard，半导体标准通信接口)接口进行通信，实现Fab Host生产指令的下达，Tool端Wafer(硅片)工艺数据的收集等。RGA Sensor物理接入Tool的腔室内部，它实时采集的Data经由Sensor Controller分析计算后，通过SECS发送给Fab Host。