[发明专利]电致发光器件及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201610247744.2 | 申请日: | 2016-04-20 |
公开(公告)号: | CN105679958B | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 孟虎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静,黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 器件 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种电致发光器件及其制作方法、显示装置。
背景技术
量子点材料作为一种零维纳米材料,具有带隙可调,比表面积大,光电性能优越,近年来在发光二极管、太阳能电池、光探测器、显示等领域受到广泛关注。特别在显示领域,电致发光的量子点器件获得了较高的发光效率,产业化逐渐取得进展。
对于电致发光的量子点器件,以CdSe/ZnS、CdS/ZnS等核壳结构量子点发光材料为例,目前广泛采用的器件结构为阳极/空穴注入层/空穴传输层/量子点发光层/电子传输层/阴极。电子传输层通常采用旋涂ZnO量子点等无机材料制得,其电子迁移率通常远远大于由有机材料制得的电子传输层的电子迁移率,约2-3个数量级。这就造成了电子电流远超过空穴电流。为此,空穴传输层必须具有低的LUMO能级,空穴传输层/量子点层界面的电子势垒使得多余的电子被限制在量子点发光层。另外,考虑到溶剂互溶的问题,空穴传输层还必须选择某些特定的材料,比如Poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzi(4-丁基-N,N-二苯基苯胺均聚物简称poly-TBD)、Poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4'-(N-(4-sec-butylphenyl)diphenylamine)](简称TFB)等,这使得空穴传输层的材料选择也受到限制。
发明内容
本发明提供一种电致发光器件及其制作方法、显示装置,用以解决电子传输层的电子迁移率与空穴传输层的空穴迁移率不同时,导致空穴传输层的材料选择受到限制的问题。
为解决上述技术问题,本发明实施例中提供一种电致发光器件,包括设置在一基底上的电子传输层,所述电子传输层包括用于传输电子的第一膜层,所述电子传输层还包括与所述第一膜层接触设置的调节结构,所述调节结构用于调节所述第一膜层的电子迁移率。
本发明实施例中还提供一种显示装置,包括如上所述的电致发光器件。
本发明实施例中还提供一种如上所述的电致发光器件的制作方法,包括:
在一基底上形成电子传输层,形成电子传输层的步骤包括形成用于传输电子的第一膜层,形成电子传输层的步骤还包括:
形成与所述第一膜层接触设置的调节结构,所述调节结构用于调节所述第一膜层的电子迁移率。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
上述技术方案中,电致发光器件的电子传输层的电子迁移率可调,便于实现与空穴传输层的空穴迁移率匹配,使空穴传输层的材料选择不会受到限制,降低生产成本,保证器件的发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1表示本发明实施例中电致发光器件的结构示意图一;
图2表示本发明实施例中电致发光器件的结构示意图二。
具体实施方式
下面将结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
实施例一
本实施例中提供一种电致发光器件,包括依次设置在一基底100上的阳极1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4和阴极5。发光层3由量子点材料、有机发光材料等电致发光材料制得,电子和空穴在发光层3中的复合能够激发发光层3发光。为了提高发光效率,还可以在阳极1和空穴传输层2之间设置空穴注入层(图中未示出),在电子传输层4和阴极5之间设置电子注入层(图中未示出)。
电子传输层4包括用于传输电子的第一膜层,还包括与第一膜层接触设置的调节结构,所述调节结构用于调节所述第一膜层的电子迁移率。所述第一膜层可以由有机材料制得,也可以由量子点等无机材料制得。
上述电致发光器件,通过设置调节结构,使电子传输层的电子迁移率可调。当电子传输层和空穴传输层的载流子(包括电子和空穴)迁移率差别较大时,通过所述调节结构的调节作用能够实现电子传输层与空穴传输层的载流子迁移率匹配,使得空穴传输层的材料选择不会受到限制,降低生产成本,保证器件的发光效率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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